8月22日晚間，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（簡稱“中微公司”）發(fā)布了2024年半年度財報，上半年公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入34.48億元，同比增長36.46%；歸屬于上市公司股東的凈利潤5.17億元，同比大跌48.48%；扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤約 4.83 億元，較上年同期減少約6.88%。

受凈利潤下滑影響，23日A股開盤后，中微公司股價便迅速下跌，截至午盤收盤，股價大跌-9.60%，收于125.47元/股，市值779.55億元。

中微公司表示，上半年公司的等離子體刻蝕設(shè)備在國內(nèi)外持續(xù)獲得更多客戶的認(rèn)可，針對先進(jìn)邏輯和存儲器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升，CCP 和 ICP 刻蝕設(shè)備的銷售增長和在國內(nèi)主要客戶芯片生產(chǎn)線上市占率均大幅提升，這推動了公司營收的同比大幅增長。

具體來說，今年上半年中微公司刻蝕設(shè)備收入為 26.98 億元，較上年同期增長約 56.68%，刻蝕設(shè)備占營業(yè)收入的比重由上年同期的 68.16%提升至本期的 78.26%；MOCVD 設(shè)備收入為 1.52億元，較上年同期減少約 49.04%，主要因為公司在藍(lán)綠光 LED 生產(chǎn)線和 Mini-LED 產(chǎn)業(yè)化中保持絕對領(lǐng)先的地位，該終端市場近兩年處于下降趨勢；公司緊跟 MOCVD 市場發(fā)展機(jī)遇，積極布局用于碳化硅和氮化鉀基功率器件應(yīng)用的市場，并在 Micro-LED 和其他顯示領(lǐng)域的專用MOCVD 設(shè)備開發(fā)上取得良好進(jìn)展，已付運(yùn)和將付運(yùn)幾種 MOCVD 新產(chǎn)品進(jìn)入市場。此外，公司新產(chǎn)品 LPCVD 設(shè)備實(shí)現(xiàn)首臺銷售，收入 0.28 億元。

從訂單來看，2024 年上半年中微公司新增訂單 47.0 億元，同比增長約 40.3%。其中刻蝕設(shè)備新增訂單 39.4 億元，同比增速約 50.7%；LPCVD 上半年新增訂單 1.68 億元，新產(chǎn)品開始啟動放量。

從產(chǎn)能來看，2024 年上半年中微公司共生產(chǎn)專用設(shè)備 833 腔，同比增長約 420%，對應(yīng)產(chǎn)值約 68.65 億元，同比增長約 402%，為本年度出貨及確認(rèn)收入打下了較好的基礎(chǔ)。

對于上半年公司凈利潤同比大跌48.48%（減少 4.86 億元）的原因，中微公司解釋稱，主要系 2023 年公司出售了持有的部分拓荊科技股份有限公司股票，產(chǎn)生稅后凈收益約4.06 億元，而 2024 年公司并無該項股權(quán)處置收益；以及公司上半年主要由于研發(fā)總投入增長下扣非后歸母凈利潤較上年同期減少 0.36 億元。

為盡快補(bǔ)短板，實(shí)現(xiàn)趕超，上半年中微公司公司顯著加大研發(fā)力度。公司目前在研項目涵蓋六類設(shè)備，20 多個新設(shè)備的開發(fā)，2024 年上半年公司研發(fā)投入 9.70 億元，較上年同期的 4.60 億元增加約 5.10 億元，同比大幅增長 110.84%。

等離子體刻蝕設(shè)備研發(fā)方面，公司根據(jù)技術(shù)發(fā)展及客戶需求，大力投入先進(jìn)芯片制造技術(shù)中關(guān)鍵刻蝕設(shè)備的研發(fā)和驗證，目前針對邏輯和存儲芯片制造中最關(guān)鍵刻蝕工藝的多款設(shè)備已經(jīng)在客戶產(chǎn)線上展開驗證。公司針對超高深寬比刻蝕自主開發(fā)的具有大功率 400kHz 偏壓射頻的 PrimoUD-RIE 已經(jīng)在生產(chǎn)線驗證出具有刻蝕≥60:1 深寬比結(jié)構(gòu)的量產(chǎn)能力。同時，公司積極布局超低溫刻蝕技術(shù)，在超低溫靜電吸盤和新型刻蝕氣體研究上投入大量資源，積極儲備更高深寬比結(jié)構(gòu)（≥90:1）刻蝕的前衛(wèi)技術(shù)。多款 ICP 設(shè)備在先進(jìn)邏輯芯片、先進(jìn) DRAM 和 3D NAND 產(chǎn)線驗證推進(jìn)順利并陸續(xù)取得客戶批量訂單。晶圓邊緣 Bevel 刻蝕設(shè)備完成開發(fā)，即將進(jìn)入客戶驗證，公司的 TSV 硅通孔刻蝕設(shè)備也越來越多地應(yīng)用在先進(jìn)封裝和 MEMS 器件生產(chǎn)。

薄膜沉積設(shè)備研發(fā)方面，公司目前已有多款新型設(shè)備產(chǎn)品進(jìn)入市場，其中部分設(shè)備已獲得重復(fù)性訂單，其他多個關(guān)鍵薄膜沉積設(shè)備研發(fā)項目正在順利推進(jìn)。公司鎢系列薄膜沉積產(chǎn)品可覆蓋存儲器件所有鎢應(yīng)用，并已完成多家邏輯和存儲客戶對 CVD/HAR/ALD W 鎢設(shè)備的驗證，取得了客戶訂單。公司近期已規(guī)劃多款 CVD 和 ALD 設(shè)備，增加薄膜設(shè)備的覆蓋率，進(jìn)一步拓展市場。

公司組建的 EPI 設(shè)備研發(fā)團(tuán)隊，通過基礎(chǔ)研究和采納關(guān)鍵客戶的技術(shù)反饋，已經(jīng)形成自主知識產(chǎn)權(quán)及創(chuàng)新的預(yù)處理和外延反應(yīng)腔的設(shè)計方案,目前公司 EPI 設(shè)備已順利進(jìn)入客戶驗證階段，以滿足客戶先進(jìn)制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求。

MOCVD 設(shè)備研發(fā)方面，Micro-LED 應(yīng)用的專用 MOCVD 設(shè)備開發(fā)順利，實(shí)驗室初步結(jié)果實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的波長均勻性能，已付運(yùn)樣機(jī)至國內(nèi)領(lǐng)先客戶開展生產(chǎn)驗證；用于碳化硅功率器件外延生產(chǎn)的設(shè)備正在開發(fā)中，已付運(yùn)樣機(jī)至國內(nèi)領(lǐng)先客戶開展驗證測試；下一代用于氮化鎵功率器件制造的 MOCVD 設(shè)備也正在按計劃順利開發(fā)中。

編輯：芯智訊-浪客劍