9月9日消息，據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》報道，臺積電生態(tài)系統(tǒng)和聯(lián)盟管理負責(zé)人 Dan Kochpatcharin上周在 Semicon Taiwan 2024 論壇上表示，三星和臺積電正在聯(lián)手生產(chǎn)無緩沖高帶寬內(nèi)存 （HBM）。

報道稱，三星與臺積電的合作將提供 英偉達（Nvidia）和谷歌（Google） 等客戶要求的“定制芯片和服務(wù)”。

與現(xiàn)有型號相比，無緩沖 HBM4 的能效將提高 40%，延遲可降低 10%。HBM 已被廣泛用于 AI 計算。

雖然在邏輯制程代工方面，三星是臺積電的競爭對手，但臺積電并不生產(chǎn) DRAM。然而，在 AI 處理器協(xié)作中采用多晶粒封裝或者所謂的“Chiplet”小芯片先進封裝的情況正在增加，其中就包括HBM。

并且當(dāng)HBM進入到新一代的HBM4時，會采用基于邏輯制程的基礎(chǔ)芯片，使得客戶可以加入自己的IP，以實現(xiàn)定制化，提升HBM的效率。而對于該邏輯制程的基礎(chǔ)芯片，三星和SK海力士都將允許客戶自行設(shè)計，并可選擇外部的邏輯制程晶圓代工廠來生產(chǎn)。

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消息人士也表示，雖然三星能夠提供全面的 HBM4 制造服務(wù)，包括內(nèi)存生產(chǎn)、（邏輯制程基礎(chǔ)芯片）代工和先進封裝，但它希望利用臺積電的技術(shù)來獲得更多客戶。

此舉是三星可能將是試圖反擊競爭對手 SK 海力士的一個舉措，后者以 53% 的標(biāo)價成為領(lǐng)先的 HBM 供應(yīng)商，而三星只有 35%。

值得注意的是，SK 海力士、三星和美光都在推出 HBM3E DRAM，并計劃在 2025 年推出 HBM4 格式。SK 海力士最近宣布，它打算開發(fā)下一代HBM，性能將是當(dāng)前產(chǎn)品的20-30倍，并可提供客戶定制的產(chǎn)品。

編輯：芯智訊-浪客劍