隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器的需求越來(lái)越大，讀寫速度要求越來(lái)越快，功耗要求越來(lái)越小，現(xiàn)有的傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器，如EEPROM、FLASH等已經(jīng)難以滿足這些需要了。同傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性，因此受到很大關(guān)注。今天Aigtek安泰電子就給大家介紹一下和鐵電材料密切相關(guān)的鐵電存儲(chǔ)器（FRAM），以及功率放大器在鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）鐵電疇的高壓極化測(cè)試中的應(yīng)用。

　　一、鐵電存儲(chǔ)器的定義

　　鐵電存儲(chǔ)器(FRAM，ferroelectricRAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問(wèn)結(jié)合起來(lái)。由于鐵電存儲(chǔ)器不像動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)一樣密集，它很可能不能取代這些技術(shù)。

　　二、鐵電存儲(chǔ)器的工作原理

　　FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。鐵電效應(yīng)是指在鐵晶體上施加一定電場(chǎng)時(shí)，晶體中心原子在電場(chǎng)的作用下移動(dòng)，達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài);當(dāng)電場(chǎng)從晶體中移除時(shí)，中心原子將保持在原始位置。這是因?yàn)榫w的中間層是一個(gè)高能階，當(dāng)沒(méi)有獲得外部能量時(shí)，中心原子不能超過(guò)高能階到達(dá)另一個(gè)穩(wěn)定位置。因此，F(xiàn)RAM不需要電壓來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)，也不需要像DRAM那樣定期刷新。由于鐵電效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無(wú)關(guān)，所以FRAM存儲(chǔ)器的內(nèi)容不會(huì)受到外界條件諸如磁場(chǎng)因素的影響，能夠同普通ROM存儲(chǔ)器一樣使用，具有非易失性的存儲(chǔ)特性。

　　FRAM的特點(diǎn)是速度快，可以像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在E2PROM等最大寫作次數(shù)的問(wèn)題。然而，受鐵晶體特性的限制，F(xiàn)RAM的訪問(wèn)次數(shù)仍然最多。

　　三、鐵電存儲(chǔ)器應(yīng)用

　　由于鐵電存儲(chǔ)器可以在非常低的電能需求下快速存儲(chǔ)，因此有望廣泛應(yīng)用于消費(fèi)者的小型設(shè)備中，如個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、手機(jī)、電源表、智能卡和安全系統(tǒng)。鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)比閃存快。在某些應(yīng)用中，它也可能取代電能擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)，成為未來(lái)無(wú)線產(chǎn)品的關(guān)鍵元件。

　　以上就是關(guān)于鐵電存儲(chǔ)器的原理與應(yīng)用，以及功率放大器在鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）鐵電疇的高壓極化測(cè)試中的應(yīng)用的全部?jī)?nèi)容分享，相信大家看完之后對(duì)高壓放大器以及鐵電存儲(chǔ)器有了更深的了解，更多精彩歡迎持續(xù)關(guān)注我們。