10月18日消息，據(jù)路透社報道，三星已經(jīng)推遲了其位于美國德克薩斯州泰勒市在建的晶圓廠的ASML光刻機(jī)的交付，雖然不清楚具體的原因，但猜測可能與其尖端邏輯制程良率偏低，難以獲得客戶訂單有關(guān)。

近日，全球最大的光刻機(jī)制造商ASML公布了三季度業(yè)績，其新增訂單意外地環(huán)比大跌53%，不及市場預(yù)期的一半，同時ASML還下調(diào)明年銷售目標(biāo)，主要原因是競爭激烈的代工動態(tài)導(dǎo)致某些客戶的新節(jié)點增長放緩，對于光刻系統(tǒng)（特別是EUV系統(tǒng)）需求時間推遲，而來自存儲制程需求增加也有限。雖然ASML并沒有公布來自哪些客戶的光刻機(jī)需求減少，但是三星似乎就是其中一家。

三名熟悉三星計劃的人士告訴路透社，三星推遲了為其在建泰勒晶圓廠購買 ASML 的光刻機(jī)，因為它沒有獲得任何主要客戶。該報告還指出，三星推遲為一些客戶下代工訂單，迫使他們尋找其他選擇。

由于三星3nm GAA制程良率一直不佳，傳聞僅有20%左右，這也使得三星的尖端制程代工業(yè)務(wù)一直處于嚴(yán)重低迷的狀態(tài)，至今都未獲得任何頭部主要客戶的訂單。

今年4月，美國商務(wù)部與三星宣布簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據(jù)《芯片和科學(xué)法案》向三星電子提供高達(dá)64億美元的直接補(bǔ)貼資金，以加強(qiáng)美國半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的彈性，推進(jìn)美國的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位，并增強(qiáng)美國的全球競爭力。

三星則承諾未來幾年將在美國德克薩斯州投資金額由原來的170億美元提升至超過400億美元。其中，對于德克薩斯州泰勒市的投資將包括兩個領(lǐng)先的邏輯代工廠，專注于4nm和2nm工藝技術(shù)的大規(guī)模生產(chǎn)，一個致力于開發(fā)和研究當(dāng)前生產(chǎn)節(jié)點之前的技術(shù)代的研發(fā)工廠，以及一個生產(chǎn)3D高帶寬存儲器和2.5D封裝的先進(jìn)封裝設(shè)施。此外還將擴(kuò)建三星現(xiàn)有的奧斯汀工廠。

但是此前就有傳聞稱，由于尖端制程良率問題，三星泰勒的新建晶圓廠項目將要大幅推后，之前部署的人員撤出了。雖然三星高管否認(rèn)了這些傳聞，并表示該晶圓廠將于 2025 年年中完工，并且員工通常會被輪換到其他地點。但不管怎樣，三星在晶圓代工領(lǐng)域嚴(yán)重落后于臺積電已經(jīng)不是什么秘密了。

值得注意的是，近期，由于未能成功抓住AI熱潮所帶來的需求增長，以及傳統(tǒng)消費(fèi)電子市場需求疲軟，使得三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)獲利表現(xiàn)不佳，甚至還罕見的公開致歉。而這或許也使得三星對于尖端邏輯制程以及存儲制程的投資變得更為謹(jǐn)慎，特別是還沒有獲得3nm邏輯制程大客戶的背景下，從而放緩了售價高昂的ASML EUV光刻機(jī)的采購，畢竟一臺售價就超過了1.5億美元。

這里需要補(bǔ)充的是，雖然三星最新的HBM3e尚未通過英偉達(dá)的認(rèn)證，使得其高端存儲產(chǎn)品業(yè)務(wù)受到了一定的影響，但是HBM產(chǎn)品對于EUV光刻機(jī)的需求并不大，主要需要的TSV工藝和封裝設(shè)備。

編輯：芯智訊-浪客劍