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          黃仁勛:Blackwell良率問題100%是英偉達的錯,改進版即將規(guī)模量產(chǎn)

          發(fā)布人:芯智訊 時間:2025-01-08 來源:工程師 發(fā)布文章

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          10月24日消息,據(jù)路透社報道,英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛本周在接受采訪時承認,此前曝光的導致Blackwell GPU良率問題的設(shè)計缺陷是由英偉達自身造成的,但是該設(shè)計缺陷在幾個月前就已經(jīng)在臺積電的幫助下得到了修復,B100/B200 處理器的改進版本即將進入大規(guī)模生產(chǎn)。

          “我們在 Blackwell 中遇到了一個設(shè)計缺陷,它的功能很好,但設(shè)計缺陷導致良率很低?!秉S仁勛說:“這 100% 是英偉達的錯?!?/p>

          當關(guān)于設(shè)計缺陷的第一批報道出現(xiàn)時,一些媒體報道說臺積電是罪魁禍首,并暗示這可能會導致英偉達與臺積電之間的合作緊張關(guān)系。但是,根據(jù)黃仁勛的說法,情況并非如此,英偉達自己的誤判導致了問題。黃仁勛還駁斥了有關(guān)兩家公司之間緊張關(guān)系的報道,稱其為“假新聞”。

          英偉達的 Blackwell B100 和 B200 GPU 使用臺積電的 CoWoS-L 封裝技術(shù)將其兩個小芯片連接起來,該技術(shù)依賴于配備本地硅互連 (LSI) 橋接器的 RDL 中介層(以實現(xiàn)約 10 TB/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率)。這些橋梁的放置至關(guān)重要。然而,GPU 小芯片、LSI 橋片、RDL 中介層和主板基板之間的熱膨脹特性被認為不匹配,導致系統(tǒng)翹曲和失效。據(jù)報道,英偉達不得不修改 GPU 硅的頂部金屬層和凸起,以提高產(chǎn)量。雖然該公司沒有透露有關(guān)修復的具體細節(jié),但它確實提到需要新的光罩。

          良率扼殺問題和主要功能問題在半導體領(lǐng)域并非聞所未聞。通常,公司通過修改一個(或兩個)金屬層并將其稱為新的臺階來修復它們。

          舉個例子:據(jù)報道,英特爾的 Sapphire Rapids 有 500 個錯誤,該公司發(fā)布了大約十幾個步驟來修復它們(五個是基礎(chǔ)重新旋轉(zhuǎn))。每個新步驟大約需要三個月才能完成(包括識別問題、修復問題和生產(chǎn)新版本的芯片),因此英偉達和臺積電修復 Blackwell GPU 的速度令人印象深刻。

          用于 AI 和超級計算機的現(xiàn)已修復的 Blackwell GPU 將于 10 月下旬進入大規(guī)模生產(chǎn),并應在明年初開始發(fā)貨。也就是說,英偉達今年早些時候透露,為了滿足 AWS、谷歌和Microsoft等主要云服務提供商對其 Blackwell GPU 的需求,它仍必須在 2024 年底前出貨一些最初的低產(chǎn)量 Blackwell 處理器。目前尚不清楚 2024 年將有多少 Blackwell GPU 運往數(shù)據(jù)中心客戶。

          編輯:芯智訊-浪客劍


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