臺(tái)灣芯片代工廠商聯(lián)電昨日在美國(guó)巴爾的摩所舉辦的2009國(guó)際電子組件會(huì)議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)人士指出，聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。

　　據(jù)悉，早前臺(tái)積電曾宣布將在明年前三個(gè)季度分別開始試產(chǎn)28納米高性能高K金屬柵極、28納米低功耗高K金屬柵極和28納米低功耗氮氧化硅三種新工藝產(chǎn)品。