來自美國加州大學(xué)亨利·薩繆理工程和應(yīng)用科學(xué)分院， 美國普渡大學(xué)和IBM公司的研究人員最近成功開發(fā)出了一種采用硅鍺半導(dǎo)體材料制成的納米線，采用這種技術(shù)，科學(xué)家們可以開發(fā)出尺寸更小的微電子設(shè)備。這種硅鍺材料納米線的直徑可控制在數(shù)十至數(shù)百納米之間，長度則可達數(shù)微米。研究者可以以這種技術(shù)為基礎(chǔ)，研發(fā)出更高性能的高速電子設(shè)備。

　　該技術(shù)的研發(fā)團隊展示了幾種原子級尺寸的，采用不同的硅鍺材料制成的分層結(jié)構(gòu)納米線，這種納米線可以有效地傳輸電荷。研發(fā)人員展示的這種納米線其接口尺寸可以做到僅有一個原子大小，而過去，阻礙人們制作超小尺寸納米線的障礙主要是有關(guān)技術(shù)的解像度不足。

　　美國加州大學(xué)的教授，該技術(shù)的研發(fā)者之一Suneel Kodambaka表示，硅鍺半導(dǎo)體材料納米線技術(shù)不僅可被用于半導(dǎo)體應(yīng)用，而且在汽車，熱電領(lǐng)域也有較為廣闊的發(fā)展前景。

　　研發(fā)人員表示，研發(fā)小組的下一步工作計劃是采用類似的技術(shù)制造出尺寸更大一點的納米線，以便將這種納米線與常規(guī)的納米線的電性能進行比對。