在近日舉行的國(guó)際電子器件會(huì)議上，英特爾研究人員宣布，該公司已經(jīng)在“為新一代處理器開發(fā)采用硅以外材料的新型晶體管”方面取得進(jìn)展。 

　　多年來(lái)，硅一直是生產(chǎn)芯片的基本材料，英特爾和其它芯片生產(chǎn)商大約每隔兩年就能通過縮放比例或者減小晶體管體積改善芯片性能，在提高運(yùn)算速度的同時(shí)允許在芯片上搭建更多晶體管。 

　　由于晶體管已經(jīng)接近個(gè)別原子大小，為了在今后十年的生產(chǎn)過程繼續(xù)保持這一節(jié)奏，芯片界致力于尋求生產(chǎn)晶體管的新途徑。英特爾技術(shù)分析師Rob Willoner表示，在類似英特爾這種化合物半導(dǎo)體模型的某些情況下，新材料被引入生產(chǎn)過程，進(jìn)而改善芯片性能，而不再僅僅依靠縮放比例。 

　　在近日公布的文件中，英特爾研究人員解釋銦和銻兩種材料如何改善未來(lái)晶體管的性能。Willoner宣稱，今年年初英特爾與英國(guó)QinetiQ公司展出銻化銦晶體管模型，而現(xiàn)在體積得到進(jìn)一步減小，因而更適合大規(guī)模計(jì)算。 

　　在元素周期表中，硅位于第四列，這意味著硅原子最外層包含4個(gè)電子。元素通過失去、得到或者共享電子的方式達(dá)到最外層8個(gè)電子的穩(wěn)定狀態(tài)。銦位于第三列，原子最外層包含3個(gè)電子，銻則位于第五列。與普通硅晶體相比，兩種元素生產(chǎn)出的晶體管，運(yùn)算速度將提升50％，消耗功率也將明顯下降，因?yàn)殇R化銦晶體管具有相對(duì)較高的電子遷移率。 

　　英特爾開發(fā)銻化銦晶體管取代傳統(tǒng)的硅晶體管。晶體管通常用來(lái)代表“0”和“1”，構(gòu)成基本計(jì)算邏輯；電流通過晶體管時(shí)代表一種狀態(tài)，而當(dāng)電流被晶體管阻斷時(shí)則代表另外一種狀態(tài)。Willoner表示，與今年2月份展示的耗盡型晶體管模型相比，本周三展示的新的增強(qiáng)型晶體管模型功耗很小。 

　　種種跡象表明未來(lái)硅谷將不會(huì)發(fā)生改變，因?yàn)樵谖磥?lái)芯片生產(chǎn)中硅將不會(huì)被銻化銦完全取代，硅是地球上儲(chǔ)量排名第二的元素。英特爾和QinetiQ面臨的下一個(gè)挑戰(zhàn)是如何將這種晶體管整合到硅片上，因?yàn)樯榛壘ǔＳ米骶w管模型，與硅相比，批量生產(chǎn)成本較高。 

　　與此同時(shí)，兩家公司希望能夠在2010和2015年間生產(chǎn)出包含銻化銦晶體管的實(shí)際工作芯片成品。