低壓方案

　　低壓傳統(tǒng)上指MOSFET工作在200V及以下，通常是多芯片模塊(MCM)和負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品，現(xiàn)在業(yè)界把“中功率IC產(chǎn)品”也納入其中。Fairchild創(chuàng)新的MLP(低功耗電源管理)產(chǎn)品有多種小型化封裝方案，使傳統(tǒng)的SO-8趨向于雙3mm×3mm，D-Pak趨向于Power56和Power33，Power56趨向Power33，Power33趨向Power22方案，而能效、功率密度更佳，EMI更小。今后低壓MOSFET將在應(yīng)用方案、Trench(溝槽) MOSFET技術(shù)、線性IC設(shè)計(jì)和封裝方面等繼續(xù)創(chuàng)新。

　　功率研討會(huì)上的新產(chǎn)品和新觀念：SuperFET向SupreMOS轉(zhuǎn)化

　　在09年12月初美國(guó)的Asiapress功率研討會(huì)上，Fairchild離線(Off-line)電源的全球技術(shù)市場(chǎng)推廣經(jīng)理Van Niemela介紹了該公司的幾項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)：(1)SupreMOS技術(shù)，相比SuperFET(圖4)，有更低的RDS(ON)、更低的輸入電容;(2)臨界導(dǎo)通模式交錯(cuò)式PFC控制器可提高能效，具有相位管理、低谷開關(guān)技術(shù)等，典型產(chǎn)品如FAN9612;(3)ORing FET打破了在5mm×6mm印腳(Footprint)時(shí)RDS(ON) 1mW的最低記錄，典型產(chǎn)品如FDMS7650。

　　美國(guó)EDN雜志執(zhí)行編輯Ron Wilson在主持會(huì)議時(shí)說，目前服務(wù)器農(nóng)場(chǎng)(Farmer)和基站是最受關(guān)注的耗能大戶。另外，家庭待機(jī)功耗、照明、便攜式產(chǎn)品等也是節(jié)能關(guān)注的熱點(diǎn)。

　　Altera Hardcopy ASIC部門高級(jí)總監(jiān)Dave Greenfield說，為了降低功耗，需要在芯片、軟件和系統(tǒng)級(jí)方面創(chuàng)新：(1)芯片方面，要平衡制程技術(shù)，例如更低的核心電壓通?？梢越档蛣?dòng)態(tài)功耗，制程的提高不能對(duì)降低靜態(tài)功耗(漏電流)有幫助，但可以通過其他技術(shù)來(lái)降低功耗;(2)芯片要采用多種設(shè)計(jì)技術(shù)，需要精確地預(yù)估關(guān)鍵的起始點(diǎn)，功率驅(qū)動(dòng)的綜合更重要，而過去較關(guān)注的卻是性能和密度;(3)系統(tǒng)級(jí)方面，例如DDR3雖然性能比DDR2性能強(qiáng)大，但是功耗卻更低。