臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)的日本法人——臺(tái)積電日本于2010年7月1日在東京都內(nèi)舉行了記者說明會(huì)，介紹了對(duì)半導(dǎo)體市場(chǎng)的長期展望。臺(tái)積電日本代表董事社長小野寺誠表示，2012年以后“預(yù)計(jì)年平均增長率為4.2%，將繼續(xù)保持平穩(wěn)增長”。該公司認(rèn)為，雖然業(yè)界將半導(dǎo)體的新市場(chǎng)寄望于新興市場(chǎng)國家，但新興市場(chǎng)國家的平均售價(jià)較低，因此無法成為恢復(fù)到以前兩位數(shù)增長勢(shì)頭的原動(dòng)力。

　　臺(tái)積電預(yù)測(cè)，2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)相對(duì)于上年的增長率將為30%。該公司表示，雖然2011年將繼續(xù)保持增長，但相對(duì)于上年的增長率僅為7%。 2012年以后的增長趨勢(shì)將放緩。臺(tái)積電提到了以下四個(gè)理由。(1)半導(dǎo)體需求有望出現(xiàn)擴(kuò)大的用途是價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)激烈的消費(fèi)類產(chǎn)品用途;(2)有望成為新市場(chǎng)的新興市場(chǎng)國家，其電子產(chǎn)品的平均售價(jià)較低;(3)半導(dǎo)體部件成本(BOM)在電子產(chǎn)品中所占的比例超過20%，已經(jīng)達(dá)到極限，無望出現(xiàn)增加;(4)遵循摩爾(Moore)法則的微細(xì)化步伐今后將會(huì)放緩。

　　另外，包括代工在內(nèi)的半導(dǎo)體廠商今后將在技術(shù)和成本兩個(gè)方面面臨較大的課題。該公司在技術(shù)方面提到了以下兩個(gè)課題：(a)即便推進(jìn)技術(shù)更新?lián)Q代，也難以縮小晶體管的柵長;(b)每推進(jìn)一代技術(shù)換代，泄漏電流就會(huì)增大，半導(dǎo)體芯片單位面積的功耗會(huì)持續(xù)增加。在成本方面，存在著(c)研發(fā)成本的增大和(d)半導(dǎo)體工廠建設(shè)成本的增大這兩個(gè)課題。關(guān)于(c)課題，臺(tái)積電預(yù)計(jì)在22/20nm工藝中，工藝開發(fā)成本和設(shè)計(jì)開發(fā)成本將分別達(dá)到130nm工藝的 7倍和14倍。在(d)的課題中，采用450mm晶圓的半導(dǎo)體工廠建設(shè)費(fèi)用，將達(dá)到150mm晶圓的工廠的25倍。

　　由于上述課題，預(yù)計(jì)自己擁有最尖端工廠的半導(dǎo)體廠商數(shù)量將趨于減少。因此，像臺(tái)積電這樣“存留下來的少數(shù)半導(dǎo)體廠商需要完成的任務(wù)將越來越多”(小野寺)。為了應(yīng)對(duì)這種情況，臺(tái)積電今后將把研發(fā)工作的強(qiáng)化和生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大作為長期目標(biāo)加以推進(jìn)。在研發(fā)方面，2010年將把投資額和員工增至2006年的 2倍和3倍。在生產(chǎn)規(guī)模方面，目前已將兩個(gè)300mm工廠(“Fab12”和“Fab14”)的產(chǎn)能分別提高至10萬張/月以上，新的300mm工廠 “Fab15”將在2010年夏季開工建設(shè)。Fab15“將以在2011年啟動(dòng)為目標(biāo)而迅速著手建設(shè)”(小野寺)。

　　今后，臺(tái)積電計(jì)劃“進(jìn)一步加深與客戶之間的緊密合作”(小野寺)。具體做法是從開發(fā)初期階段開始就進(jìn)行合作，以便致力于在晶體管水平上按照不同用途優(yōu)化LSI性能與功耗之間的平衡。從利潤率的觀點(diǎn)來看，“判斷哪一代技術(shù)何時(shí)確立將變得更為重要”(小野寺)。