除了需求上升，今年半導(dǎo)體市場(chǎng)又被注入了強(qiáng)力成長(zhǎng)因素，促使iSuppli公司把今年的半導(dǎo)體銷售額預(yù)測(cè)提高到紀(jì)錄最高水平。

　　iSuppli公司現(xiàn)在預(yù)測(cè)，2010年全球半導(dǎo)體銷售額將增長(zhǎng)35.1%,從2009年的2296億美元上升到3103億美元。iSuppli公司先前在5月6日發(fā)布的預(yù)測(cè)認(rèn)為，今年增長(zhǎng)30.9%.

　　2010年銷售額增幅將達(dá)807億美元，這將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有史以來最大的年度銷售額增幅。相比之下，第二大增幅略低于600億美元，那是在網(wǎng)絡(luò)泡沫時(shí)期的2000年創(chuàng)下的紀(jì)錄。

　　由于電子產(chǎn)品的消費(fèi)需求強(qiáng)勁，半導(dǎo)體市場(chǎng)已經(jīng)有望在2010年取得大幅增長(zhǎng)。但是，由于諸多因素的出現(xiàn)，現(xiàn)在2010年半導(dǎo)體銷售顯然被注入了成長(zhǎng)因素。這些因素包括價(jià)格上漲、庫(kù)存補(bǔ)充和智能手機(jī)與高檔液晶電視等主要電子產(chǎn)品的芯片內(nèi)容增加。所有這些正在推動(dòng)今年芯片銷售額達(dá)到驚人的規(guī)模。

　　電子設(shè)備銷售勁增

　　2010年半導(dǎo)體銷售額強(qiáng)勁增長(zhǎng)，是由于電子設(shè)備銷售大幅上升。2010年電子設(shè)備的工廠OEM銷售額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)1310億美元，達(dá)到1.54萬億美元，比2009年上升9.3%.電子OEM銷售額曾在2008年創(chuàng)下1.53萬億美元的高點(diǎn)。

　　在PC、手機(jī)、液晶電視和其它富含半導(dǎo)體的產(chǎn)品領(lǐng)域，電子設(shè)備的出貨量與銷售額增長(zhǎng)速度正在超過預(yù)期水平。

　　價(jià)格上漲，芯片氣壯

　　但是，半導(dǎo)體銷售額的百分比增長(zhǎng)率將大大超過終端設(shè)備市場(chǎng)，其中包括以下原因：

　　半導(dǎo)體廠商小心管理庫(kù)存和嚴(yán)格控制產(chǎn)能，已導(dǎo)致供應(yīng)難以滿足需求的局面。因此，許多半導(dǎo)體領(lǐng)域的價(jià)格上漲。

　　另外，在系統(tǒng)以及元件層面采用創(chuàng)新技術(shù)，也導(dǎo)致高度集成的半導(dǎo)體銷售額上升，使其在電子系統(tǒng)中占有更大的價(jià)值份額。這些集成半導(dǎo)體的價(jià)格通常較高。

　　繼2009年大幅削減成本和庫(kù)存之后，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一直在積極建立庫(kù)存，以應(yīng)對(duì)電子產(chǎn)品需求強(qiáng)勁增長(zhǎng)的局面。這也使得半導(dǎo)體增長(zhǎng)超過終端需求所反映的水平。

　　別了，泡沫

　　雖然2010年增長(zhǎng)勢(shì)頭堪比2000年，但需要指出的是，本輪周期完全不同于2000年。2000年旺盛增長(zhǎng)緊跟1999年的強(qiáng)力擴(kuò)張，而且受不可持續(xù)的需求泡沫的驅(qū)動(dòng)。泡沫在2001年破滅，當(dāng)年銷售額下滑28.6%.與之相比，2010年增長(zhǎng)是在2009年衰退基礎(chǔ)上的復(fù)蘇，預(yù)計(jì)會(huì)持續(xù)到2011年。

　　不可能二次探底

　　關(guān)于整體經(jīng)濟(jì)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，上月最常聽到的一個(gè)詞是“二次探底”.人們擔(dān)心，半導(dǎo)體市場(chǎng)最近的表現(xiàn)好得不太正常，不久肯定會(huì)出現(xiàn)修正。但是，iSuppli公司不同意二次探底的看法。相反，iSuppli公司預(yù)測(cè)，2010年下半年和2011年將回歸更加標(biāo)準(zhǔn)的增長(zhǎng)型態(tài)，明年半導(dǎo)體銷售額將增長(zhǎng)7%.

　　2010年第二季度半導(dǎo)體銷售額環(huán)比增長(zhǎng)8.2%,預(yù)計(jì)是今年的高峰增長(zhǎng)期。第三季度增速將回落到6.7%,第四季度預(yù)計(jì)只有0.4%.

　　iSuppli公司預(yù)測(cè)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將連續(xù)增長(zhǎng)七個(gè)季度，然后在2011年第一季度出現(xiàn)季節(jié)性下降。這將是該產(chǎn)業(yè)在1991至1995年期間連續(xù)增長(zhǎng)19個(gè)季度之后，連續(xù)增長(zhǎng)時(shí)間最長(zhǎng)的一次。

　　內(nèi)存奮力增長(zhǎng)

　　觀察2010年具體的半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，內(nèi)存領(lǐng)域?qū)儆谠鲩L(zhǎng)最強(qiáng)勁的行列。

　　DRAM銷售額將增長(zhǎng)86%以上，NAND閃存增幅將超過33%.這將導(dǎo)致今年總體內(nèi)存銷售額增長(zhǎng)56%.

　　所有主要半導(dǎo)體類別--微型元件、邏輯、模擬、分立與光學(xué)及傳感器，預(yù)計(jì)2010年的增幅都將高于25%.

　　2010年其它主要增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)因素將是LED、可編程邏輯器件(PLD)、通用模擬IC和分立元件。這些市場(chǎng)領(lǐng)域2010年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)在36%至49%之間。NOR閃存預(yù)計(jì)是2010年增長(zhǎng)率唯一低于兩位數(shù)的主要半導(dǎo)體產(chǎn)品。