東芝公司宣布，即日起開始使用24nm工藝批量生產NAND閃存芯片，這也是該領域內迄今為止最為先進的制造技術。

　　東芝透露，24nm工藝已被用于生產世界上體積最小、存儲密度最高的2bpc(每單元兩個比特)MLC NAND閃存芯片，單顆容量64Gb(8GB)，今后還會使用同樣工藝制造32Gb(4GB)容量和3bpc規(guī)格的閃存芯片。

　　東芝表示，新工藝將進一步減小芯片尺寸、提高生產效率，同時還支持Toggle DDR接口規(guī)范，有助于增強數(shù)據傳輸速度。

　　在此之前，Intel、美光合資的IM Flash已經開始批量生產25nm工藝NAND閃存芯片，并試產了3bps規(guī)格芯片