美國(guó)再次放寬對(duì)華高技術(shù)產(chǎn)品出口 65nm以下刻蝕設(shè)備不再受限
在SEMI及會(huì)員公司的共同努力下,經(jīng)過(guò)9個(gè)月的等待,美國(guó)聯(lián)邦政府正式實(shí)施放寬刻蝕設(shè)備的出口條件,原來(lái)180nm的技術(shù)審核指標(biāo)被正式放寬到了65nma。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/113313.htmEEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 美國(guó)再次放寬對(duì)華高技術(shù)產(chǎn)品出口 65nm以下刻蝕設(shè)備不再受限
在SEMI及會(huì)員公司的共同努力下,經(jīng)過(guò)9個(gè)月的等待,美國(guó)聯(lián)邦政府正式實(shí)施放寬刻蝕設(shè)備的出口條件,原來(lái)180nm的技術(shù)審核指標(biāo)被正式放寬到了65nma。
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評(píng)論