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          華虹NEC隆重亮相2010 IC設(shè)計(jì)年會

          作者: 時間:2010-12-09 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            “2010中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計(jì)分會年會暨物聯(lián)網(wǎng)與高峰論壇”于2010年12月1~3日在無錫召開。本次年會的主題是“加大產(chǎn)業(yè)整合,培育國產(chǎn)品牌,推動產(chǎn)業(yè)更好更快發(fā)展”。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/115325.htm

            世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一,上海電子有限公司(“”)派出了由市場部、銷售部、設(shè)計(jì)服務(wù)部和技術(shù)研發(fā)部組成的強(qiáng)大陣容出席此次盛會。在會場設(shè)置展區(qū),展示了一年來的最新技術(shù)成果,包括多種新型BCD、0.13/0.18微米SiGe等工藝平臺。這些新的工藝平臺將為LED照明、電源/電池管理以及無線射頻、物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用提供最佳代工解決方案。

            華虹NEC技術(shù)研發(fā)部高級專家錢文生博士在“Foundry與工藝技術(shù)”的專題論壇上做了題為“在物聯(lián)網(wǎng)中大有作為的鍺硅BiCMOS技術(shù)”的精彩演講,博得了與會者的一致認(rèn)可和好評。他介紹說,國家加快推進(jìn)七大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),這將給集成電路和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來巨大的發(fā)展機(jī)遇。目前公司正大力研發(fā)國際先進(jìn)的0.13微米SiGe BiCMOS技術(shù),并已取得重要階段性成果。今后將繼續(xù)開發(fā)性價(jià)比更高的射頻工藝技術(shù)平臺,為進(jìn)一步做大做強(qiáng)我國物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)做出更大貢獻(xiàn)。

            公司銷售與市場副總裁高峰先生說:“年會為業(yè)界提供了一個很好的平臺,也讓我們與眾多國內(nèi)外同仁就最新技術(shù)進(jìn)展、市場發(fā)展趨勢以及業(yè)務(wù)合作前景進(jìn)行了充分探討和交流。華虹NEC將繼續(xù)專注嵌入式非揮發(fā)性存儲器、模擬/電源管理芯片、高壓、射頻以及功率器件等五大特色工藝平臺,一如既往地支持國內(nèi)設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,聚焦巨大的內(nèi)需與新興應(yīng)用市場,實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)與代工企業(yè)的共贏。”



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