用創(chuàng)新封裝簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)
作者：Hawk Lee, Jingen Qian， Kim Norton Vishay
時(shí)間：2011-02-21
來源：電子產(chǎn)品世界
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雙片PowerPAIR功率封裝使用對(duì)稱結(jié)構(gòu)，適用于DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器。這種封裝適合高邊MOSFET的裸片和硅片降壓轉(zhuǎn)換器的低邊MOSFET，并做了優(yōu)化。這意味著，如圖2所示，由于焊盤區(qū)的大小不一樣，低邊MOSFET的導(dǎo)通電阻比高邊MOSFET的導(dǎo)通電阻更低。
事實(shí)上，低邊MOSFET的導(dǎo)通電阻是器件的關(guān)鍵特性。即便封裝尺寸變小了，這種封裝還是能在4.5V電壓下獲得小于5mΩ最大RDS(on)等級(jí)。這有助于提高最大負(fù)載情況下的效率，盡管器件的尺寸不大，工作時(shí)的溫度則更低。
評(píng)論