色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

          如圖所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極(即發(fā)射極E)。P+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極(即集電極C)。

          IGBT的開關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來(lái)為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N-溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對(duì)N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N-層的電阻,使IGBT在高電壓時(shí),也具有低的通態(tài)電壓。



          驗(yàn)證碼:

          42# EEPW網(wǎng)友 說(shuō):2018-09-26 16:40
          真牛逼
          41# EEPW網(wǎng)友 說(shuō):2017-04-04 22:02
          一般的igbt的開通和關(guān)斷時(shí)間是多長(zhǎng)呢
          40# 廣州華工科技 說(shuō):2016-10-21 16:38
          富士IGBT模塊中國(guó)總代理,廣州華工科技開發(fā)有限公司,? 歡迎咨詢020-85511281 李生
          39# EEPW網(wǎng)友 說(shuō):2016-07-13 14:15
          38# EEPW網(wǎng)友 說(shuō):2016-07-13 14:12
          37# EEPW網(wǎng)友 說(shuō):2016-07-13 14:12
          是大幅度發(fā)
          36# EEPW網(wǎng)友 說(shuō):2016-07-13 14:08
          富士IGBT模塊中國(guó)一級(jí)總代理, 廣州華工科技開發(fā)有限公司,歡迎咨詢020-85511281 李生
          35# EEPW網(wǎng)友 說(shuō):2016-07-13 14:08
          富士IGBT模塊中國(guó)一級(jí)總代理, 廣州華工科技開發(fā)有限公司,歡迎咨詢020-85511281 李生
          34# EEPW網(wǎng)友 說(shuō):2016-07-13 14:08
          富士IGBT模塊中國(guó)一級(jí)總代理, 廣州華工科技開發(fā)有限公司,歡迎咨詢020-85511281 李生 www.scut-co.com
          33# EEPW網(wǎng)友 說(shuō):2015-12-23 14:50
          大聯(lián)大品佳-英飛凌一級(jí)代理 劉志平 QQ:185609588/Tel:18521067611
          32# EEPW網(wǎng)友 說(shuō):2014-09-03 17:43
          請(qǐng)問汽車級(jí)IGBT國(guó)際知名生產(chǎn)企業(yè)都有哪些?有知道的麻煩給說(shuō)一下,謝謝!
          31# 云端 說(shuō):2014-07-21 06:57
          IGBT 管的好壞可以用萬(wàn)用表來(lái)測(cè)量嗎?
          30# soothmusic 說(shuō):2014-07-20 06:13
          回答29# wyf86:
          這個(gè)問題很難回答,有的30年以上
          29# wyf86 說(shuō):2014-07-19 22:20
          IGBT的壽命一般多長(zhǎng)?
          28# EEPW521 說(shuō):2014-06-20 07:06
          回答27# eepwlover:
          是的,設(shè)計(jì)的時(shí)候多注意。
          27# eepwlover 說(shuō):2014-06-19 22:23
          變頻器工作時(shí),IGBT的開關(guān)動(dòng)作會(huì)產(chǎn)生高頻干擾信號(hào)?
          26# EEPW521 說(shuō):2014-06-18 22:10
          回答25# eepwlover:
          新能源汽車
          25# eepwlover 說(shuō):2014-06-17 21:37
          大功率IGBT的主要驅(qū)動(dòng)力是什么?
          24# 活詞典 說(shuō):2014-05-19 21:39
          當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對(duì)N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N-層的電阻,使IGBT在高電壓時(shí),也具有低的通態(tài)電壓。
          23# EEPW網(wǎng)友 說(shuō):2014-04-21 16:08
          基于icepak的igbt溫度場(chǎng)仿真應(yīng)該采用哪種igbt?
          22# wyf86 說(shuō):2014-04-15 22:43
          回答21# soothmusic:
          通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來(lái)為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通
          21# soothmusic 說(shuō):2014-04-14 22:36
          IGBT的開關(guān)作用是什么
          20# EEPW網(wǎng)友 說(shuō):2014-04-13 00:15
          很希望有IGBT的工藝流程
          19# EEPW網(wǎng)友 說(shuō):2014-03-13 14:42
          跪求適合傳熱分析的簡(jiǎn)單的IGBT的模型?
          18# wyf86 說(shuō):2014-03-12 20:10
          IGBT在關(guān)閉期間仍承受著高電壓,且?guī)в袣堄嚯娏?,滋生不小的開關(guān)損耗。
          17# EEPW網(wǎng)友 說(shuō):2014-03-04 13:39
          基于有緣柵極控制的IGBT,其實(shí)IGBT就是柵極控制吧?沒什么特別含義吧?
          16# wyf86 說(shuō):2014-02-17 21:48
          回答15# soothmusic:
          輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs 的關(guān)系曲線
          15# EEPW網(wǎng)友 說(shuō):2014-02-16 21:42
          什么是IGBT的轉(zhuǎn)移特性?
          14# 云端 說(shuō):2014-01-16 21:42
          回答13# wyf86:
          電流過(guò)大是一個(gè)原因
          13# wyf86 說(shuō):2014-01-15 22:12
          IGBT失效的原因是什么?
          12# wyf86 說(shuō):2013-11-07 21:16
          回答11# soothmusic:
          可使用MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行觸發(fā)
          11# soothmusic 說(shuō):2013-11-06 21:54
          IGBT柵極/發(fā)射極阻抗大,應(yīng)該怎么觸發(fā)?
          10# 活詞典 說(shuō):2013-10-05 22:31
          回答9# 云端:
          也就是IGBT的開關(guān)特性,等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。
          9# 云端 說(shuō):2013-10-04 21:13
          IGBT漏源電壓與漏極電流的關(guān)系是怎樣的?
          8# soothmusic 說(shuō):2013-09-30 21:54
          回答7# eepwlover:
          簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),就是柵源電壓Ugs與輸出漏極電流Id 的關(guān)系曲線。
          7# eepwlover 說(shuō):2013-09-29 22:34
          IGBT的轉(zhuǎn)移特性是什么?
          6# 活詞典 說(shuō):2013-09-28 22:21
          回答5# 云端:
          Ugs 越高, Id 越大。
          5# 云端 說(shuō):2013-09-27 23:36
          選型IGBT,可以參考伏安特性曲線,Ugs與Id的關(guān)系是什么樣的?
          4# soothmusic 說(shuō):2013-09-25 22:06
          回答3# eepwlover:
          它們都有高輸入阻抗特性。
          3# eepwlover 說(shuō):2013-09-24 21:59
          IGBT的輸入阻抗特性,與MOSFET一樣嗎?
          2# liyidong 說(shuō):2013-09-23 13:01
          IGBT的飽和壓降低,適合應(yīng)用在高壓大電流的場(chǎng)合,但是其工作頻率比MOSFET低。
          1# 云端 說(shuō):2013-09-22 21:35
          大功率開關(guān)電源中,使用IGBT作為開關(guān)管,比MOSFET好在哪里?
          EEPW521回答:2013-09-23
          IGBT的飽和壓低,且驅(qū)動(dòng)功率小。MOSFET載流密度小些,導(dǎo)通壓降較大,開關(guān)速度要快,驅(qū)動(dòng)功率卻很小。