2001年～2010年的10年是上海集成電路產業(yè)發(fā)展的黃金10年。在這10年中，上海集成電路產業(yè)由小變大，銷售規(guī)模擴大了10.3倍(2010年上海集成電路產業(yè)實現銷售收入537.9億元)，產量增加了8.2倍，出口額增長了3.2倍，集成電路企業(yè)數量增加了4倍，集成電路行業(yè)就業(yè)人數增加了4倍，主流技術提升了4代，集成電路產業(yè)累計總投資額達到了223.04億美元，逐步形成了涵蓋設計、制造、封裝測試、裝備材料及配套服務等環(huán)節(jié)較為完整的產業(yè)鏈體系;形成了有利于集成電路產業(yè)發(fā)展的政策環(huán)境和投資環(huán)境;建立了多個規(guī)模大、功能全的微電子產業(yè)園區(qū)和公共服務平臺;培養(yǎng)和造就了數以萬計的中高端技術、管理人才，產業(yè)的集聚效應日趨顯現。

　　自主創(chuàng)新率先突破

　　在這10年中，上海集成電路產業(yè)始終堅持自主創(chuàng)新發(fā)展，不斷推進集成電路產業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)在國內率先實現突破：

　　集成電路設計業(yè)突破40nm大關。2011年1月19日，展訊通信在人民大會堂召開40納米芯片發(fā)布會，此芯片是全球首款40nm技術TD-SCDMA多模通信芯片，同時也是全球3G領域首款商用40nm芯片，這標志著上海集成電路設計業(yè)技術水平正逐步跨入世界領先行列，由跟隨者轉變?yōu)椴糠忠I。

　　集成電路設計業(yè)銷售收入首次突破百億大關。2010年，上海集成電路設計業(yè)銷售收入達到113.2億元，同比增長68.9%，占全國集成電路設計業(yè)銷售收入的近30.6%。

　　集成電路制造業(yè)突破45nm。在國家科技重大專項及上海市高新技術產業(yè)化重點支持的基礎上，中芯國際已經完成45nm技術研發(fā)，并具備了產業(yè)化的能力。同時，中芯國際已經開始將45nm技術向其縮版40nm技術推移，并計劃于2011年下半年通過客戶認證。

　　集成電路制造業(yè)產能規(guī)模始終位居國內前列。2010年上海集成電路芯片制造的總產能約為50萬片/月(8英寸晶圓等量)。隨著“909工程升級改造-12英寸集成電路生產線項目”啟動，臺積電松江公司實施生產線擴產，上海集成電路產業(yè)的總產能將提升至約64萬片/月(8英寸晶圓等量)。上海無疑將繼續(xù)成為國內最大的芯片制造基地。

　　集成電路設備材料業(yè)關鍵產品突破產業(yè)化及商業(yè)化瓶頸。中微半導體成功研發(fā)國內首臺12英寸“90nm～65nm等離子體介質刻蝕機”。2010年創(chuàng)造了訂單19臺、出貨17臺的佳績，在此基礎上，繼續(xù)成功研發(fā)了“45nm～32nm等離子體介質刻蝕機”，將我國極大規(guī)模集成電路等離子體介質刻蝕設備提升到國際領先水平。盛美半導體自主開發(fā)的“12英寸單晶圓片清洗設備”，不但進入無錫海力士12英寸生產線試用，而且還取得了韓國海力士公司的書面認定，為大規(guī)模進入國際市場鋪平道路。上海微電子裝備自主開發(fā)的“先進封裝投影光刻機”已提供給江陰長電試用，并獲得第二臺訂單。

　　在半導體關鍵材料方面，上海新傲自主研發(fā)成功的8英寸SOI晶片已實現產業(yè)化。上海晶盟硅材料有限公司和新傲的8英寸硅外延片不僅質量出眾，而且產量也占國內領先地位。上海新陽半導體自主開發(fā)成功“65nm～45nm芯片銅互連超高純電鍍液及添加劑”。

　　安集微電子自主開發(fā)成功銅阻擋層拋光液、90nm～65nm集成電路關鍵拋光材料。上海華誼微電子材料有限公司和上?；瘜W試劑研究所，開發(fā)成功超凈高純硫酸、硝酸、鹽酸、氨水、氟化銨、醋酸、異丙醇和甲基吡咯烷酮(NMP)等無機/有機化學試劑，并在國內率先建立了年產千噸級以上的超凈高純化學試劑生產體系和專用化學試劑實驗室。

　　2010年1月19日，“909工程升級改造-12英寸集成電路生產線項目”舉行了啟動儀式。本項目將建成第一條國資控股、主要面向國內市場、月產3.5萬片的12英寸(90nm～65nm～45nm)集成電路生產線，這是我國目前規(guī)模最大、技術最新的12英寸標準工藝芯片制造生產線。這條生產線的成功建設，可以制造大量國內急需的高端集成電路重要產品，具備承擔和支持國家科技重大專項的相應能力，對做大做強上海集成電路產業(yè)具有極其重要的意義。