根據(jù)國際半導體設備材料產業(yè)協(xié)會(SEMI)最新報告，全球包含新、舊設備花費的晶圓廠設備資本支出在2011年將可有年增31%的幅度，達到440億美元新高點，只是建廠支出在2011年會年減3%至49億美元，在2012年更可能再滑落12%。

　　SEMI分析師Christian Gregor Dieseldorff表示，自2月以來就看到一些業(yè)者上調設備資本支出計劃的動作，這便可望讓2011年晶圓廠設備支出來到440億美元左右的歷史新高點。只是之后到了2012年，Dieseldorff預測晶圓廠設備支出可能會回跌6%，至410億美元，雖然這在歷年支出規(guī)模中仍排名第2。

　　雖然2011年晶圓廠設備支出額可望達到新高，Dieseldorff也警告2011、2012年新建量產晶圓廠數(shù)量，可能會掉到新低點，這對之后半導體業(yè)產能或將造成影響。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2011年有17座新量產晶圓廠可能會開始動工，其中有13座是LED晶圓廠。如果把LED晶圓廠拿掉不算，SEMI預測2011年開始興建的新量產晶圓廠只會有4座，2012年也是一樣只有4座。

　　另外SEMI也提到2012年或可能看到半導體業(yè)者開始投資18吋晶圓廠試產線的生產設備。2010年其實已有業(yè)者開始興建準18吋晶圓廠，2011年將可看到更多建廠動作。

　　至于日本311震災影響部分，SEMI認為應只會對產能利用率、產出造成短期影響，對裝機產能來說應不會有太大沖擊。根據(jù)SEMI預測，2011、2012年的裝機產能分別會成長9%、7%左右。

　　另外SEMI也指出不包括離散組件的最新半導體廠產能擴充幅度仍持平守在年增10%以下的水平。至于2010年晶圓代工廠產能成長幅度超過內存區(qū)塊的情況，SEMI認為應會持續(xù)至2011年。相較于內存區(qū)塊產能可能只有8%的年增表現(xiàn)，2011年晶圓代工廠產能或可年增13%。不過2011年產能增加最快的區(qū)塊應仍是LED晶圓廠，年增幅度可能超過40%，之后在2012年則會稍見減少。

　　根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，雖然產能年增幅度不算高，不過2011年內存區(qū)塊占全球裝機產能比例仍有38%之多，晶圓代工廠所占比例也有29%左右。