臺積電與日本瑞薩電子(Renesas)決定加入以研發(fā)次世代半導(dǎo)體制造技術(shù)為目標(biāo)的EUVL基板開發(fā)中心(EIDEC)。EIDEC是由東芝(Toshiba)領(lǐng)軍，由11間日本企業(yè)共同出資設(shè)立，致力于研究深紫外線(EUV)微影技術(shù)。

　　目前EIDEC已經(jīng)和ASML等不少半導(dǎo)體大廠合作。其中包含在半導(dǎo)體市場占有率排行龍頭的英特爾(Intel)與老二三星電子(Samsung Electronics)，如今坐落第3的臺積電也決定加入，造就出半導(dǎo)體三強(qiáng)攜手合作的局面。

　　除了半導(dǎo)體廠外，日本國內(nèi)也有不少感光材料廠和光罩廠加入EIDEC。其中JSR、信越化學(xué)工業(yè)、東京應(yīng)化工業(yè)3間感光樹脂大廠的合計(jì)市場占有率就高達(dá)7成。大日本印刷及凸版印刷等各光罩廠的合計(jì)市場占有率也足足達(dá)到5成。

　　ASML預(yù)計(jì)在2012年度對市場導(dǎo)入微影技術(shù)量產(chǎn)機(jī)器。但目前作為半導(dǎo)體設(shè)計(jì)圖的光罩、感光材料和裝置均面臨開發(fā)瓶頸，無法和其配合。瓶頸的原因之一，在于日本國內(nèi)的半導(dǎo)體廠商尚未全面使用最新技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)，導(dǎo)致周圍廠商也不敢冒然跨入次世代市場。

　　針對此問題，EIDEC決定從6月中旬開始集思廣益，讓將近40位來自各公司的頂尖工程師，齊聚在茨城縣筑波市的研究開發(fā)中心進(jìn)行研發(fā)，目標(biāo)是在2015年底前成功研發(fā)微影技術(shù)生產(chǎn)，并將該技術(shù)活用于NAND型快閃存儲器和系統(tǒng)芯片，提升自家半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能與競爭力。EIDEC希望能集各家之長打破現(xiàn)況，創(chuàng)造10納米的半導(dǎo)體制程技術(shù)。

　　東芝企圖在2013~2015年度開始量產(chǎn)次世代的NAND型快閃存儲器，屆時微影技術(shù)生產(chǎn)將是不可或缺的一環(huán)。由于單獨(dú)進(jìn)行技術(shù)開發(fā)必須支付龐大的費(fèi)用，所以東芝選擇和經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省合作，扮演EIDEC領(lǐng)導(dǎo)，為次世代半導(dǎo)體市場捉刀。