ST與Semikron聯(lián)合發(fā)布高功率應(yīng)用集成模塊
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ST與Semikron的合作為傳統(tǒng)的功率器件如IGBT、功率MOSFET及ST所有的ESBT(發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管)器件等帶來(lái)了新機(jī)會(huì),具有成本效益的功率雙極與功率MOSFET架構(gòu)的組合提供了高電壓性能與高開關(guān)頻率。
SEMITOP?封裝允許在單一模塊內(nèi)集成幾個(gè)芯片,包括IGBT、二極管與輸入橋式整流器等。封裝級(jí)集成度減少了分立解決方案所需的元件數(shù)目、節(jié)省了板空間,并確保了高級(jí)連接功能與固有的可靠性。高級(jí)工藝與材料的應(yīng)用,包括:DBC(直接鍵合銅技術(shù))陶瓷基板與內(nèi)部凝膠涂料等,實(shí)現(xiàn)了卓越的熱量管理,使其不會(huì)受到外部溫度變化與機(jī)械應(yīng)力的影響。
ST與Semikron的集成功率模塊用于滿足寬范圍應(yīng)用快速增長(zhǎng)地對(duì)更高集成與更高可靠性的高功率平臺(tái)的需求,具體應(yīng)用包括:熔接、UPS、家電、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)與開關(guān)電源等。
SEMITOP封裝的使用,使得ST參與 IGBT模塊市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng),并極大的鞏固了其在大批量消費(fèi)類市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位,為客戶帶來(lái)了新的價(jià)值。
新集成功率模塊的批量生產(chǎn)將于2006年第二季度展開,ST與Semikron將分別將其投入市場(chǎng),確保雙重資源的同時(shí)更好地為客戶供應(yīng)器件。
評(píng)論