作為新一代功率半導體材料而備受關注的SiC國際會議“ICSCRM2011”于2011年9月11～16日(當地時間)在美國俄亥俄州克利夫蘭舉行。會上圍繞著SiC基板(晶圓)、元件工藝、各種元件以及相關電路應用等題目進行了成果發(fā)表。雖然以SiC制功率元件相關成果為中心，但發(fā)表的內容其實涉及多個方面。比如，還有采用SiC制成的傳感器及可支持高溫工作的集成電路，以及SiC材料金剛石和在SiC基板上形成石墨烯等成果發(fā)表。

　　普通演講包括口頭演講127項，展板發(fā)表252項，合計379項，與例年相同。此外還有30項特邀演講和31項消息公報(LateNews)。發(fā)表者按地區(qū)劃分為美國占36%、亞洲及大洋洲占33%、歐洲占31%。

　　在會議的構成上，增加了反映SiC晶圓研發(fā)活躍現狀和體結晶生長相關的兩個會議。另外還新設了獨立的石墨烯會議。

　　會議首先推出了兩項主題演講。一是美國國家可再生能源實驗室(National Renewable Energy Laboratory，簡稱NREL)的JerryM.Olson所做的利用III-V族半導體材料的高效聚光型太陽能電池的演講，另一個是美國能源部(DOE)下屬機構高級能源研究計劃署(Advanced Research Projects Agency-Energy，簡稱ARPA-E)的RajeevRam所作的題為“SiC對推進清潔能源革新的寬帶隙半導體的作用”的演講。該演講令人感到在太陽能發(fā)電系統(tǒng)、節(jié)能及智能電網等方面，以SiC為代表的寬帶隙半導體元件被寄予了厚望。