宜普開發(fā)板專為使用增強型eGaN FET的系統(tǒng)而設(shè)計
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普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9005/EPC9006開發(fā)板，這種開發(fā)板能使用戶更方便地使用宜普增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管設(shè)計產(chǎn)品。
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/124057.htmEPC9005開發(fā)板
EPC9005開發(fā)板能使用戶更方便地使用宜普40V增強型氮化鎵(eGaN®)場效應(yīng)晶體管設(shè)計產(chǎn)品。受益于eGaN FET性能的應(yīng)用包括高速DC/DC電源、負(fù)載點轉(zhuǎn)換器、D類音頻放大器、硬開關(guān)和高頻電路。
EPC9005開發(fā)板是一種40V最大輸入電壓、7A最大輸出電流并帶板載柵極驅(qū)動器的半橋電路設(shè)計及采用EPC2014 40V eGaN FET。推出這種開發(fā)板的目的是簡化評估EPC2014 eGaN FET的過程，因為EPC9005是塊單板，上面集成了所有關(guān)鍵元器件，可以方便地連接任何現(xiàn)有轉(zhuǎn)換器。
EPC9005開發(fā)板尺寸為2英寸x1.5英寸，不僅包含了帶柵極驅(qū)動器且采用半橋配置的兩個EPC2014 eGaN FET，而且包含有板載柵極驅(qū)動電源和旁路電容。EPC9005開發(fā)板集成了所有關(guān)鍵元器件及布局，以實現(xiàn)最優(yōu)開關(guān)性能。電路板上還備有多個探測點，以便測量簡單的波形和計算效率。
EPC9006開發(fā)板
EPC9006開發(fā)板能使用戶更方便地使用宜普100V增強型氮化鎵(eGaN®)場效應(yīng)晶體管設(shè)計產(chǎn)品。受益于eGaN FET性能的應(yīng)用包括高速DC/DC電源、負(fù)載點轉(zhuǎn)換器、D類音頻放大器、硬開關(guān)和高頻電路。
EPC9006開發(fā)板是一種100V最大輸入電壓、5A最大輸出電流并帶板載柵極驅(qū)動器的半橋電路設(shè)計及采用EPC2007eGaN FET。推出這種開發(fā)板的目的是簡化評估EPC2007 eGaN FET的過程，因為EPC9006是塊單板，上面集成了所有關(guān)鍵元器件，可以方便地連接任何現(xiàn)有轉(zhuǎn)換器。
EPC9006開發(fā)板尺寸為2英寸x1.5英寸，不僅包含了帶柵極驅(qū)動器及采用半橋配置的兩個EPC2007eGaN FET，而且包含有板載柵極驅(qū)動電源和旁路電容。EPC9006開發(fā)板集成了所有關(guān)鍵元器件及布局，以實現(xiàn)最優(yōu)開關(guān)性能。電路板上還備有多個探測點，以便測量簡單的波形和計算效率。
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