爾必達(dá)日前表示，該公司已成功生產(chǎn)出25nm制程、4GB大小的SDRAM內(nèi)存芯片樣品，即將出貨。早前，爾必達(dá)就宣稱從7月開始發(fā)售限量版的25nm制程2GB內(nèi)存芯片，而新款4G的25nm內(nèi)存芯片將取代現(xiàn)在的30nm制程的4GB DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)線，產(chǎn)品生產(chǎn)效率也將提高45%。除此之外，新款25nm芯片性能更強勁，可以有效降低待機電流。

　　爾必達(dá)并未透露這款25nm制程4GB SDRAM內(nèi)存芯片何時進入量產(chǎn)階段，但說明在今年年底前會以樣品形式供貨。爾必達(dá)宣稱，隨著高密度數(shù)據(jù)處理的需要，25nm新技術(shù)的出現(xiàn)，迎合了市場上 對DRAM內(nèi)存的迫切需求，這款4GB 25nm SDRAM內(nèi)存芯片的體積更小，發(fā)展空間巨大。而作為玩家的我們，是不是又要迎來新一代的超頻條王者呢?