雖然芯片制程方面一直在飛速進步，不過自從進入0.18微米(180nm)時代CPU核心電壓降至 1.xV級別后，即使是目前實際生產(chǎn)用最新的28nm制程也只能使核心電壓維持在1V左右。“高”電壓帶來的功耗問題也使移動計算方面處處受限，目前智能手機、平板電腦等最大的問題之一就是功耗和續(xù)航。而芯片電壓之所以無法突破1V的重要原因之一就是低壓無法驅(qū)動內(nèi)部的SRAM模塊。不過上周富士通半導體和美國SuVolta公司開發(fā)的新制程卻可以使電壓閾值下降至0.4V左右。

　　SoVolta開發(fā)的DDC晶體管制造的576Kb SRAM模塊最低可在0.425V電壓下工作，相比目前常用SRAM最低0.7V左右的工作電壓減少了40%左右。相對于效果類似的ETSOI和Tri-Gate制程，SuVolta與富士通的這種技術更加簡便易行。

　　富士通半導體計劃繼續(xù)改進此技術，并應客戶要求將低功耗特性全面導入對應的產(chǎn)品中，對于逐漸SoC化的移動處理器來說這的確是個不錯的消息。