簡(jiǎn)述

　　本文提供了如何最大限度地?cái)U(kuò)大RFID讀寫(xiě)器讀/寫(xiě)距離的方法。讀/寫(xiě)距離取決于諸多因素，如讀寫(xiě)器(RFID讀寫(xiě)器)的傳輸功率、讀寫(xiě)器的天線(xiàn)增益、讀寫(xiě)器IC的靈敏度、讀寫(xiě)器總體天線(xiàn)效率、周?chē)矬w(尤其是金屬物體)及來(lái)自附近的RFID讀寫(xiě)器或者類(lèi)似無(wú)線(xiàn)電話(huà)的其它外部發(fā)射器的RF干擾。

　　功率密度

　　讀寫(xiě)器天線(xiàn)發(fā)射的RF電磁波的功率密度大小如下式所示。

　　Sr = PtGt/4πR² (式1)

　　式中，Sr為功率密度，Pt為讀寫(xiě)器天線(xiàn)的發(fā)射功率，Gt為讀寫(xiě)器天線(xiàn)的讀寫(xiě)器增益，R為讀寫(xiě)器天線(xiàn)的發(fā)射距離。式1表明，功率密度與距離的平方成反比。這一公式在理想情況下成立，如在不存在衰減RF信號(hào)的物體、可能產(chǎn)生干擾的外部發(fā)射器和來(lái)自同一信號(hào)源產(chǎn)生其它干擾模式的多徑效應(yīng)的微波暗室內(nèi)。此應(yīng)用指南將更為詳細(xì)地討論以上這些因素。

　　天線(xiàn)增益

　　天線(xiàn)增益的單位是dBi，dBi代表一根天線(xiàn)與在所有方向均勻分配能量的假設(shè)各向同性天線(xiàn)相比的正向增益。在設(shè)計(jì)天線(xiàn)的結(jié)構(gòu)時(shí)，應(yīng)使其在某個(gè)方向比另一個(gè)方向輻射更多的能量，從而實(shí)現(xiàn)更高增益。以水噴頭作例子，可以很好地理解這一點(diǎn)。集中噴射，水流變窄，水射出的距離增加。這與提高天線(xiàn)增益類(lèi)似，即在某個(gè)方向集中能量輻射。

　　天線(xiàn)3dB波束寬度和半功率點(diǎn)

　　提高讀寫(xiě)器的讀/寫(xiě)距離必須考慮的另一個(gè)重要的天線(xiàn)特性，天線(xiàn)3dB波束寬度圖。如圖1所示的3dB波束寬度，包含了75%的射頻能量。在此范圍內(nèi)讀寫(xiě)器具有最佳讀/寫(xiě)性能。3dB波束寬度取決于天線(xiàn)增益。例如，天線(xiàn)增益越高，能量越集中，3dB波束寬度就越窄。