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          瑞薩聯(lián)袂臺(tái)積電 外包40nm閃存工藝

          —— 瑞薩電子和臺(tái)積電周一宣布增進(jìn)在微控制器領(lǐng)域的合作
          作者: 時(shí)間:2012-05-29 來源:semi 收藏

            正如預(yù)期,電子和臺(tái)積電周一宣布增進(jìn)在微控制器領(lǐng)域的合作,而微控制器領(lǐng)域可謂是的地盤。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/132954.htm

            這兩家公司周一宣布,在將MCU技術(shù)的合作擴(kuò)展到嵌入式閃存處理技術(shù),這樣,臺(tái)積電將有能力為其客戶提供MONOS(金屬氧化氮氧化硅)嵌入式閃存工藝平臺(tái)。

            這件事似乎還只是整個(gè)大修整中的一部分。媒體發(fā)布會(huì)上并未提及向臺(tái)積電轉(zhuǎn)讓Yamagata 的芯片廠等事宜。

            瑞薩已經(jīng)將90nm閃存處理技術(shù)外包給臺(tái)積電。如今,臺(tái)積電又取得了瑞薩及未來技術(shù)的外包權(quán)。通過建立MONOS處理平臺(tái),瑞薩和臺(tái)積電希望建立一個(gè)生態(tài)系統(tǒng)從而擴(kuò)大客戶群。



          關(guān)鍵詞: 瑞薩 40nm

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