中國(guó)上海，2012年6月21日－上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱“宏力半導(dǎo)體”），專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造領(lǐng)先企業(yè)，宣布成功建立國(guó)內(nèi)首個(gè)0.18微米“超低漏電” (Ultra-Low-Leakage，ULL) 嵌入式閃存工藝平臺(tái)。

0.18微米“超低漏電”嵌入式閃存工藝平臺(tái)由宏力半導(dǎo)體自主開發(fā)完成。 此次推出的“超低漏電”工藝平臺(tái)在宏力半導(dǎo)體現(xiàn)有的0.18微米“低功耗”（Low-Power，LP）工藝平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步技術(shù)提升，其N/P晶體管在1.8伏操作電壓下可分別輸出與“低功耗”工藝等同的525 / 205 μA/μm驅(qū)動(dòng)電流，但其N/P管靜態(tài)漏電分別僅為0.6pA/μm和0.2 pA/μm，達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。

0.18微米“超低漏電”嵌入式閃存工藝平臺(tái)生產(chǎn)的芯片具有超低漏電(小于1pA/μm)、靜態(tài)功耗低的特點(diǎn)，在電池容量有限的情況下能夠提供更長(zhǎng)的待機(jī)時(shí)間?；谠撈脚_(tái)生產(chǎn)的低功耗微控制器（MCU）、觸摸屏控制芯片（Touch Panel Controller）主要適用于平板電腦、數(shù)碼相機(jī)和手機(jī)等手持式便攜設(shè)備。

“0.18微米‘超低漏電’嵌入式閃存工藝平臺(tái)可為客戶提供高可靠性、低成本的解決方案，進(jìn)而大幅提升客戶產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。”企業(yè)發(fā)展暨戰(zhàn)略單位副總經(jīng)理傅城博士表示，“目前，已有多家客戶在該平臺(tái)試產(chǎn)，各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到或超過(guò)客戶要求。”