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          羅姆開發(fā)出超低IR肖特基勢壘二極管

          —— 降低車載、電源設備的功耗約40%
          作者: 時間:2012-06-26 來源:電子產品世界 收藏

            日本知名半導體制造商(總部位于日本京都)近日面向車載、電源設備,開發(fā)出高溫環(huán)境下亦可使用的超低IR肖特基勢壘“RBxx8系列”。與傳統(tǒng)的車載用整流相比,可降低約40%的功耗,非常有助于電動車(EV)和混合動力車(HEV)等要求更低功耗的電路節(jié)能。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/133946.htm

            本產品已從1月份開始銷售樣品(樣品價格50~200日元/個),從5月份開始以月產100萬個的規(guī)模進行量產。關于生產基地,前期工序在ROHM Wako Co., Ltd.(日本岡山縣),后期工序在ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(馬來西亞),ROHM Integrated Systems (Thailand) Co.,Ltd.(泰國)、ROHM Korea Corporation(韓國)進行。  

             高溫環(huán)境下使用的車載、電源設備的電路中,由于擔心熱失控,因此普遍采用整流和快速恢復二極管()。但是由于整流二極管和的VF值較高,因此很難實現(xiàn)EV和HEV所要求的更低功耗。在這種背景下,VF值較低的肖特基勢壘二極管(SBD)在高溫環(huán)境下亦可安全使用的產品的開發(fā)需求逐年高漲。

            此次,通過采用最適合高溫環(huán)境的金屬,實現(xiàn)了業(yè)界頂級低IR化。與傳統(tǒng)的SBD相比,IR降低到約1/100,使高溫環(huán)境下的使用成為可能。

            由此,整流二極管和的替換成為可能,VF特性得以大幅改善(與傳統(tǒng)的FRD相比,VF降低約40%)。另外,更低VF可以抑制發(fā)熱,成功實現(xiàn)小型化封裝,有助于不斷電子化、小型化需求高漲的EV、HEV節(jié)省空間。

            羅姆今后還會進一步推進整流二極管的替換帶來的低VF化、小型化,不斷為提高車載、電源設備的效率做出貢獻。  

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          關鍵詞: 羅姆 二極管 FRD

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