世界領(lǐng)導(dǎo)者賽默飛世爾科技(以下簡(jiǎn)稱：賽默飛)在2012顯微鏡學(xué)和微區(qū)分析大會(huì)上發(fā)布新型賽默飛UltraDry硅漂移(電制冷)X射線探測(cè)器。該探測(cè)器為同類最優(yōu)，為金屬和礦物、先進(jìn)材料和半導(dǎo)體等行業(yè)應(yīng)用提供更快速、準(zhǔn)確的(微區(qū))X射線分析。它進(jìn)一步提升了廣受贊譽(yù)的賽默飛NORAN System 7 X射線微區(qū)分析系統(tǒng)的性能。

　　賽默飛副總裁兼分子光譜和微區(qū)分析產(chǎn)品總經(jīng)理John Sos指出：“我們的UltraDry硅漂移(電制冷)探測(cè)器在超高的采集速率下具有優(yōu)異的分辨率，這在當(dāng)今的納米技術(shù)和先進(jìn)材料應(yīng)用分析中是至關(guān)重要的!我們對(duì)該探測(cè)器的卓越改進(jìn)使我們NORAN System 7系統(tǒng)整體能以最快的速度獲得最多的數(shù)據(jù)。加之使用我們獨(dú)有的高級(jí)數(shù)據(jù)處理工具 —— COMPASS軟件和直接倒相軟件，用戶可以滿懷信心地將其EDS分析結(jié)果提升至全新的水平。”

　　UltraDry硅漂移(電制冷)探測(cè)器性能的提升是其設(shè)計(jì)和技術(shù)工藝改進(jìn)的直接成果。該探測(cè)器提升了能量分辨率的界限，在Mn-Kα的能譜譜峰分辨率高達(dá)123eV。采用尺寸較小先進(jìn)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)與晶體一體化的卓越設(shè)計(jì)在最大程度上減小了導(dǎo)致電噪聲的分布電容。UltraDry探測(cè)器能夠高效地操控脈沖堆積處理，使其在高速處理中具有最佳的分辨率和最小的死時(shí)間比率。無需外部附屬設(shè)備或液氮制冷。

　　新型的UltraDry探測(cè)器提供寬范圍的晶體有效面積選擇(10mm2, 30mm2, 60mm2 和100mm2)，并具有先進(jìn)的窗口工藝技術(shù)和獨(dú)一無二的可分析至元素鈹?shù)妮p元素完整的分析算法。其他關(guān)鍵特征包括：

• 旨在使樣品至探測(cè)器距離最小化和探測(cè)器立體角最大化的用戶定制設(shè)計(jì)
• 獨(dú)有的旨在創(chuàng)造最大工作距離范圍的垂直開槽的準(zhǔn)直器
• 操作環(huán)境溫度至35°C

　　NORAN System 7是非常適用于金屬和采礦、先進(jìn)材料、學(xué)術(shù)研究、半導(dǎo)體和微電子、失效分析、缺陷審查等材料電子顯微微區(qū)應(yīng)用分析的卓越平臺(tái)!