(2) 化學(xué)蝕刻制程溫度的管控：蝕刻制程為放熱反應(yīng)，若溫度控制無法在適當(dāng)?shù)闹瞥虦囟确秶鷥?nèi)將影響蝕刻速率的快慢。如圖13兩組實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)討論所示，數(shù)據(jù)1玻璃蝕刻為放熱反應(yīng)：起始溫度 28.1 ℃升至35.4 ℃à 提高7.3 ℃，數(shù)據(jù)2玻璃蝕刻為放熱反應(yīng)：起始溫度 34.8 ℃升至36.9 ℃à 提高2.1 ℃，不同起始溫度經(jīng)過長時(shí)間取樣測量發(fā)現(xiàn)蝕刻溫度逐漸增加，又蝕刻溫度影響著蝕刻速率的變化，故選擇一個(gè)溫度點(diǎn)可接近放熱反應(yīng)的最終溫度，可以穩(wěn)定蝕刻速率和制程速率，這是化學(xué)二次強(qiáng)化制程調(diào)控上的重點(diǎn)。　　

 

　　(3) 玻璃砂過濾處理問題：

　　HF與SiO2反應(yīng)會(huì)生成H4SiO4，而H4SiO4會(huì)沉淀下降形成所謂的玻璃砂，在蝕刻制程中若蝕刻時(shí)間越久，蝕刻玻璃的量就會(huì)越多，而玻璃砂就產(chǎn)生越多，玻璃砂若沉積在蝕刻槽體沒有排除將影響玻璃蝕刻速率與表面質(zhì)量，因此玻璃段面就容易出現(xiàn)凸點(diǎn)或是蝕刻不均的現(xiàn)象，影響蝕刻后的機(jī)械強(qiáng)度和模塊的組裝質(zhì)量，所以化學(xué)二強(qiáng)制程中玻璃砂的過濾效果是否良好將決定產(chǎn)品出貨時(shí)的良率狀況。

　　(4) 蝕刻槽體較佳流場設(shè)計(jì)與過濾系統(tǒng)整合：

　　若槽體流場設(shè)計(jì)不佳會(huì)導(dǎo)致玻璃砂無法有效的由玻璃表面帶走，也會(huì)影響產(chǎn)品的質(zhì)量，較佳的流場設(shè)計(jì)也會(huì)讓酸液在最短時(shí)間內(nèi)有效的混合均勻，讓槽體各部位的蝕刻能力達(dá)到一致性，讓產(chǎn)品蝕刻均勻度效果更佳;玻璃砂堆積嚴(yán)重者會(huì)堵塞機(jī)臺(tái)管路，影響供酸循環(huán)系統(tǒng)效果，嚴(yán)重者影響蝕刻效率，使產(chǎn)品4pb改善效果降低，一般會(huì)設(shè)置過濾器(filter)來改善玻璃砂的問題。故設(shè)計(jì)良好的過濾系統(tǒng)和流場較佳的蝕刻槽體，是化學(xué)二強(qiáng)設(shè)備設(shè)計(jì)的重點(diǎn)。

　　六. 結(jié)論

　　基于觸控產(chǎn)業(yè)陸續(xù)蓬勃發(fā)展，觸控產(chǎn)品本身的規(guī)格要求也日漸嚴(yán)苛，所有觸控面板出貨前都要批次性測試4pb test或是ball on ring test，且依據(jù)觸控產(chǎn)品應(yīng)用性其規(guī)格也各別定義，大部分的觸控業(yè)者在玻璃切割制程都采用鉆石刀輪切割外加精雕制程，雷射切割也有部分業(yè)者使用但成本過高，量產(chǎn)能力不佳，而且經(jīng)過實(shí)驗(yàn)線數(shù)據(jù)得知近30%的雷射切割產(chǎn)品機(jī)械抗壓性不足，需要進(jìn)行二次強(qiáng)化(意即30%的4pb out spec)，因此玻璃二強(qiáng)制程設(shè)備是目前各LCD與觸控面板業(yè)界急需擴(kuò)充的重要投資之一，本文已經(jīng)針對(duì)影響玻璃強(qiáng)化的重要制程參數(shù)，如：HF濃度控制、蝕刻溫度控制、玻璃砂過濾、蝕刻槽體流場設(shè)計(jì)與過濾系統(tǒng)整合概念等，進(jìn)行詳細(xì)探討與解說。弘塑科技公司(GPTC)在半導(dǎo)體濕式設(shè)備已經(jīng)有超過10年以上的豐富經(jīng)驗(yàn)，以半導(dǎo)體的設(shè)備開發(fā)規(guī)格與理念，加上對(duì)于化學(xué)清洗與蝕刻制程深入研究，運(yùn)用在玻璃蝕刻和玻璃強(qiáng)化領(lǐng)域，可創(chuàng)造出更具有附加價(jià)值的技術(shù)，目前弘塑科技的薄化設(shè)備和強(qiáng)化設(shè)備已獲得臺(tái)灣各TFT-LCD與觸控一線大廠(如：AUO、GTOC、Cando、CPTF等)的認(rèn)同與肯定，設(shè)備的安全性、穩(wěn)定性、精準(zhǔn)性向來是弘塑科技產(chǎn)品設(shè)備基本的訴求，未來如2.5D或是3D的玻璃強(qiáng)化也將是弘塑科技在技術(shù)上發(fā)展的指標(biāo)之一。