有源線(xiàn)性充電的優(yōu)勢(shì)是：1、芯片集成較多的充電保護(hù)機(jī)制，這種保護(hù)機(jī)制隨著充電電流的不斷增大，越來(lái)越被工程師所關(guān)注，畢竟充電模塊會(huì)涉及到手機(jī)可靠性方面;2、散熱較好，有源的充電IC一般會(huì)采用帶散熱盤(pán)的DFN/QFN等封裝，芯片內(nèi)部的地會(huì)通過(guò)封裝的散熱盤(pán)接到主板的大地，非常有利于主板的散熱，不會(huì)出現(xiàn)手機(jī)主板某個(gè)局部區(qū)域溫度過(guò)高的情況。劣勢(shì)是：1、成本要比無(wú)源的分立器件方案高;2、充電電流最大支持到1A，電流再大，效率低導(dǎo)致的散熱問(wèn)題也會(huì)明顯顯現(xiàn)。

　　如圖3、圖4為上海艾為電子推出的AW3210支持MTK、展訊智能手機(jī)平臺(tái)1A充電的高性?xún)r(jià)比充電方案。AW3210除了線(xiàn)性充電常規(guī)的保護(hù)機(jī)制例如OVP、OCP、軟啟動(dòng)保護(hù)外，還專(zhuān)門(mén)針對(duì)大電流充電開(kāi)發(fā)的具有專(zhuān)利技術(shù)的K-charger，K-charger專(zhuān)利技術(shù)可以自動(dòng)根據(jù)芯片的溫度來(lái)調(diào)整充電電流的大小，避免因?yàn)槭褂弥杏捎谡`操作影響充電的可靠性。圖5為K-charger技術(shù)充電電流隨之芯片溫度變化的曲線(xiàn)示意圖?！　?/p>