色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          新聞中心

          EEPW首頁 > 手機(jī)與無線通信 > 設(shè)計應(yīng)用 > 3GHz~5GHz CMOS超寬帶低噪聲放大器設(shè)計

          3GHz~5GHz CMOS超寬帶低噪聲放大器設(shè)計

          作者: 時間:2012-06-01 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          超帶寬UWB(Ultra-Wideband)技術(shù)具有抗干擾能力強(qiáng)、傳輸速率高、帶寬極寬、功耗傳輸?shù)偷葍?yōu)勢,近年來已成為國內(nèi)外的研究熱點,并在短距離傳輸、高速無線LAN和成像處理等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用[1]。不論在傳統(tǒng)的無線接收結(jié)構(gòu)還是在UWB接收系統(tǒng)中,低LNA(Low- Noise Amplifier)作為射頻前端的關(guān)鍵器件,有著至關(guān)重要的作用。其可在盡可能低地引入額外的情況下放大微弱信號,同時具有良好的性能、合理的平坦增益、良好輸入輸出匹配程度和較高的線性度等特性。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/154757.htm

          在傳統(tǒng)的UWB LNA中,一般采用分布式和并聯(lián)電阻反饋式技術(shù)。分布式技術(shù)具有較好的特性和輸入匹配特性,但功耗和芯片面積較大,并且噪聲系數(shù)NF(Noise Figure)較高。而反饋式技術(shù)的額外電阻會導(dǎo)致噪聲性能的惡化,因此不太適合LNA。濾波器匹配結(jié)構(gòu)是目前較流行的UWB LNA結(jié)構(gòu),其擁有良好的增益平坦度和較優(yōu)的噪聲性能等優(yōu)點,而窄帶PCSNIM結(jié)構(gòu)的NF、輸入輸出阻抗匹配和功耗等指標(biāo)性能較好。因此,本文思路是在窄帶PCSNIM LNA的輸入輸出端引入高階帶通濾波器,這樣既保證了噪聲性能、阻抗匹配和功耗等指標(biāo)不被惡化,更能拓展系統(tǒng)的。實驗結(jié)果表明,此方案取得了不錯的效果。

          1 超低噪聲(UWB LNA)的提出

          UWB LNA的電路如圖1所示,其中I_DC、M3和R1構(gòu)成偏置電路,I_DC提供穩(wěn)定的偏置電流,其值為60 μA。晶體管M1與M3在直流工作時形成電流鏡;電阻R1可減少偏置電路對輸入的影響并補(bǔ)償M3管的柵源極電容(Cgs)效應(yīng),其取值為3 000 Ω;NMOS型的 M1管源極接源簡并反饋電感Ls,構(gòu)成去耦電路,以降低系統(tǒng)Q值和系統(tǒng)功耗;附加電容Ce可優(yōu)化噪聲系數(shù)和Ls值,從而減少系統(tǒng)的芯片面積;分立元件 L1、L2、L3、C1和C0構(gòu)成五階T型LC濾波網(wǎng)絡(luò),以拓展輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的寬帶; M2提供良好的反向隔離度,并能有效抑制M1管的Miller效應(yīng);為折中考慮噪聲性能和功耗等指標(biāo),需合理選擇M1和M2管的柵寬,一般取M1和M2尺寸相同(為80 μm); M1和M2的級間匹配由Lm和Cm構(gòu)成,能彌補(bǔ)電容Ce引起的增益下降,并可適當(dāng)優(yōu)化電路的噪聲性能;M2漏端L4、Rd和C2形成并聯(lián)低Q值負(fù)載結(jié)構(gòu),以提高輸出網(wǎng)絡(luò)匹配程度和減少輸出回波損耗。此外,電阻Rd還可提高電路的穩(wěn)定度; C3、C4、C5、L5和L6構(gòu)成五階T型LC濾波網(wǎng)絡(luò),具有擴(kuò)展輸出帶寬和選頻的功能。

          2 理論分析

          圖 2為典型的窄帶PCSNIM LNA電路結(jié)構(gòu)。簡并電感LS值在不是很大情況下,能較容易地實現(xiàn)噪聲和輸入阻抗的同時匹配,并能降低系統(tǒng)的功耗。然而LS不能太大,否則會導(dǎo)致電路噪聲系數(shù)的惡化。為解決功耗和噪聲性能相互矛盾的問題,可在晶體管M1的柵源極并聯(lián)一附加電容Ce。LS和最小噪聲系數(shù)表達(dá)式如下:

          其中,c為柵-漏極噪聲的相關(guān)系數(shù);δ為與工藝相關(guān)的噪聲參數(shù),且δ=2γ;ωT為特征頻率,取決于工藝而與晶體管尺寸無關(guān);Ct=Ce+Cgs,Cgs≈(2/3)WLCOX。由式(2)可以看出,最小噪聲系數(shù)表達(dá)式不包含Ce,說明額外電容Ce并沒有惡化LNA的噪聲性能,且與電感LS成反比,從而達(dá)到穩(wěn)定噪聲因子Fmin的目的。

          在理想的輸入阻抗匹配條件下,UWB LNA電壓增益Av與Ct的平方根成反比,說明引入Ce后,系統(tǒng)的增益會隨之降低。由于M1的輸出阻抗和M2的輸入阻抗都呈容性[2],為解決Ce所引起的電壓增益下降的問題,可在晶體管M1和M2之間引入一并聯(lián)電感Lm和電容Cm,級間匹配如圖3所示,電感Lm和電容Cm與Cgs2(M2柵源極寄生電容)、Cgd1(M1柵漏極寄生電容)諧振,抵消Cgd1所引起的M1輸出容抗與Cgs2引起的M2輸入容抗,進(jìn)而提高系統(tǒng)增益和優(yōu)化噪聲性能。

          3 輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計

          為完成寬帶的輸入阻抗匹配,可在輸入端引入L2、L3和C0以構(gòu)成三階T型LC濾波網(wǎng)絡(luò),并在此基礎(chǔ)上通過加入無源器件L1和C1來擴(kuò)展UWB的寬帶,如圖4所示。窄帶PCSNIM LNA的輸入匹配阻抗Zin由式(3)確定[3]:

          4 仿真結(jié)果分析

          設(shè)計了一個基于TSMC 0.18 ?滋m 工藝元件庫的超寬帶LNA,采用Agilent公司的ADS2008軟件進(jìn)行仿真設(shè)計。實驗結(jié)果表明,噪聲系數(shù)、增益、線性度和穩(wěn)定度等性能指標(biāo)都取得了較理想的效果。電路采用1.8 V直流電源供電,電流消耗為5.89 mA,功耗約為10.6 mW。

          S參數(shù)分析:S11仿真對比如圖5所示,在UWB頻段間,引入電容Ce后,LNA的S11仿真結(jié)果:頻率為3 GHz時,S11=-14.342 dB;頻率為5 GHz時,S11=-14.868 dB。S11越小,電路的輸入回波損耗就越小,說明電容Ce的引入可大大減少系統(tǒng)的輸入回波損耗,從而實現(xiàn)輸入阻抗的匹配。圖6是正向增益S21的對比圖,其中實線、虛線分別為引入電容Ce前后的仿真結(jié)果,叉線為引入級間匹配后的結(jié)果。仿真結(jié)果表明,引入Ce會導(dǎo)致增益的惡化,而級間匹配可彌補(bǔ)Ce導(dǎo)致的增益下降,最終平均增益超過了13 dB。S22和S12仿真結(jié)果如圖7所示,引入輸出并聯(lián)負(fù)載結(jié)構(gòu)后,在整個UWB頻段內(nèi),S22-14 dB,說明并聯(lián)結(jié)構(gòu)能有效改善輸出反射值,系統(tǒng)的回波損耗得到了改善,從而防止信號泄露和增強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性;而S12-50 dB,說明電路的反向隔離度較好。

          噪聲性能和穩(wěn)定性分析:噪聲系數(shù)仿真如圖8所示,噪聲系數(shù)NF:0.875 dB


          上一頁 1 2 下一頁

          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉