滿陣可實現(xiàn)對應(yīng)加權(quán)的最大副瓣電平。由于稀布的影響，稀布陣的和差波束的副瓣電平與滿陣相比明顯抬高，最大副瓣電平約為一25 dB。依據(jù)此設(shè)計，考慮了加工及饋電的相關(guān)誤差后仍可滿足設(shè)計副瓣電平的設(shè)計要求。兩個面差波束的零深均超過一50 dB，也滿足設(shè)計要求。滿陣的和波束寬度約為1．49°，而稀布陣的波束寬度在1．47°左右，與滿陣接近，符合設(shè)計要求。由于稀布陣單元的間距足夠小，掃描范圍指標(biāo)符合要求。對稀布陣的方向圖進行全空域積分，得到的方向性是41．1 dB，扣除輻射單元的損耗后可滿足要求。而相控陣天線的成本主要由T／R的成本決定，該稀布陣方案使系統(tǒng)成本下降了20％。

3 結(jié) 語
采用稀布的方法設(shè)計了一個低成本單脈沖相控陣天線。該方法基于稀布陣面上加圓口徑Taylor權(quán)和圓口徑Bayliss權(quán)實現(xiàn)和差波束。通過比較該方法的結(jié)果與滿陣加相同權(quán)的仿真結(jié)果發(fā)現(xiàn)二者僅在增益和副瓣電平上有較大的差別。如果設(shè)計要求強調(diào)分辨率，著重波束寬度指標(biāo)，而對增益和副瓣電平指標(biāo)不做過高要求(如本例)，那么該方法具有合理性。實際上，提供了一個低成本單脈沖相控陣天線的解決方案。