用戶需要更小更便宜的手機(jī),在手持裝置中得到快速服務(wù)和更多功能。這正在促使業(yè)界加速創(chuàng)新解決方案,降低成本使產(chǎn)品盡快上市。這種外加壓力,使制造商重新考慮解決這些問(wèn)題的技術(shù)。

　　硅技術(shù)和集成關(guān)鍵元件單元(如RF 收發(fā)器)能降低產(chǎn)品尺寸和成本。

　　蜂窩標(biāo)準(zhǔn)(如GSM)的嚴(yán)格性能要求,以前限制了RF收發(fā)器集成,迫使采用替代技術(shù)(如SiGe BiCMOS或雙極)?，F(xiàn)在,GSM/GPRS CMOS收發(fā)器普及率增加,使選擇CMOS RF技術(shù)增加了成熟性。

　　盡管CMOS RF收發(fā)器設(shè)計(jì)提供有力的、使人信服的優(yōu)點(diǎn),但設(shè)計(jì)工程師在開發(fā)手持WCDMA、EDGE、GPRS/GSM標(biāo)準(zhǔn)高集成度多模收發(fā)器時(shí),必須克服結(jié)構(gòu)和電路設(shè)計(jì)問(wèn)題。投入時(shí)間和精力采用CMOS開發(fā)多模應(yīng)用的RF收發(fā)器是值得的,市場(chǎng)的回答也是肯定的。

　　多模發(fā)展趨勢(shì)

　　為使全球經(jīng)營(yíng)者容納不同的蜂窩架構(gòu),手機(jī)制造商把多種無(wú)線蜂窩技術(shù) (多模)結(jié)合在一個(gè)器件中,為特殊市場(chǎng)提供最好的買點(diǎn)方案。例如,市場(chǎng)上支持EDGE的手機(jī)數(shù)增加,具有向后與GSM/GPRS服務(wù)兼容。同樣,未來(lái)3G 手機(jī)除EDGE/GPRS/GSM技術(shù)外,將支持WCDMA。全球漫游需要5個(gè)頻段：GSM-850MHz,E-GSM-900MHz,DCS- 1800MHz,PCS-1900MHz和UMTS-2100MHz。手機(jī)設(shè)計(jì)師必須考慮所有這些要求,并滿足用戶對(duì)低成本和形狀因數(shù)產(chǎn)品的要求。

　　硅集成和模塊集成促進(jìn)多模功能。大多數(shù)的多模平臺(tái)組合獨(dú)立的無(wú)線子系統(tǒng),例如,支持GSM/GPRS和WCDMA的多模電話可具有一個(gè)帶GSM /GPRS收發(fā)器WCDMA收發(fā)器,以及RF前端和無(wú)源元件單元,以便支持兩個(gè)模式和頻段(見(jiàn)圖1)。這種方法最實(shí)用,因?yàn)镚SM/GPRS和WCDMA 信道位率是基于不同基準(zhǔn)時(shí)鐘頻率(分別為13MHz/26MHz和19.2MHz)。一般的GSM/GPRS發(fā)送器結(jié)構(gòu)(如OPLL)不能直接加到 WCDMA。在該實(shí)例中,降低多模設(shè)計(jì)元件數(shù)和成本,需要較高的集成度和創(chuàng)新的RF技術(shù)。

圖1 采用分離3G和2G無(wú)線技術(shù)的典型3G多模/多頻段 RF設(shè)計(jì)

圖2 單片4頻段GSM/GPRS CMOS收發(fā)器框圖

　　多RF前端系統(tǒng)集成方案

　　4頻段GSM/GPRS系統(tǒng)的RF前端設(shè)計(jì)方案示于圖2,用一個(gè)高集成度單片CMOS收發(fā)器。天線開關(guān)模塊連接到發(fā)送和接收通路,對(duì)每個(gè)GSM 頻段用接收器SAW濾波器和相關(guān)的匹配電路。發(fā)送通路至少需要兩個(gè)PA：一個(gè)PA用于GSM-850MHz和E-GSM-900MHz頻段,第2個(gè)PA用于1.8GHz DCS和1.9GHz頻段。

　　很多可用的集成RF前端模塊可降低元件數(shù)并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。它們包括帶動(dòng)率放大器和功率控制邏輯功能(PA模塊)的模塊和帶PA及開關(guān)功能發(fā)送模塊 。在接收端,由SAW濾波器單元和帶多路開關(guān)和接收濾波器的RF前端模塊組成。

　　與圖2中的GSM/GPRS系統(tǒng)相比,圖1 3G多模系統(tǒng)的更復(fù)雜前端設(shè)計(jì)支持2.5G和3G RF信號(hào)傳輸。增加多路轉(zhuǎn)換器是必須的,因?yàn)閃CDMA是基于頻分雙工,發(fā)送器和接收器是同時(shí)開關(guān)轉(zhuǎn)換。然而,像GSM/GPRS那樣,經(jīng)濟(jì)定標(biāo)將帶來(lái)前端元件集成。

　　當(dāng)今蜂窩基站結(jié)構(gòu)分成兩種：基帶功能分成分離模擬和數(shù)字基帶芯片或單片高集成CMOS SoC器件(包含實(shí)現(xiàn)模式和數(shù)字功能)。因?yàn)?每種方法具有截然不同的優(yōu)點(diǎn),所以在兩種分配方法之間進(jìn)行選擇,取決于為大多數(shù)經(jīng)濟(jì)平臺(tái)方案選擇未來(lái)集成路線等因素。

　　盡管單片方法節(jié)省PCB真正的面積,但用分離的模擬和數(shù)字基帶芯片,對(duì)于集成是最可取的道路,因?yàn)樗鼓M基帶功能與實(shí)現(xiàn)數(shù)字基帶的“純”數(shù)字電路隔離。兩片方案也能使數(shù)字基帶定標(biāo)更小的CMOS幾何尺寸,同時(shí)集成其CMOS平臺(tái)元件(如應(yīng)用處理器,圖像處理器,存儲(chǔ)器)

　　基帶結(jié)構(gòu)的一種趨勢(shì)是簡(jiǎn)單地去掉模擬基帶芯片,于是使數(shù)字基帶功能集成最佳,同時(shí)簡(jiǎn)化無(wú)線到基帶芯片接口設(shè)計(jì)。此方法在無(wú)線和數(shù)字基帶之間,采用一個(gè)高速數(shù)字接口?？梢砸?guī)定此接口為串行或并行。串行接口降低了器件引腳數(shù),但增加了高速緩沖器芯片上的晶體管數(shù)。并行接口增加引腳數(shù)和封裝尺寸,但在硅中可更有效地實(shí)現(xiàn)。

　　現(xiàn)在,DigRF Standards Body 為2.5G規(guī)定了標(biāo)準(zhǔn)高速串行接口規(guī)范(見(jiàn)圖3)。當(dāng)支持?jǐn)?shù)字接口時(shí),無(wú)線設(shè)計(jì)將增加復(fù)雜性。它不僅僅必須執(zhí)行模擬到數(shù)字和數(shù)字到模擬的轉(zhuǎn)換,而且必須有接口邏輯來(lái)處理基帶的數(shù)字通信。用CMOS工藝技術(shù)比其他工藝更容易、更經(jīng)濟(jì)地實(shí)現(xiàn)這些功能。

圖3 無(wú)線和數(shù)字基帶之間的2G DigRF接口

圖4 單片4頻段CMOS收發(fā)器框圖