基于峰值控制的IGBT串聯(lián)均壓技術(shù)
加入技術(shù)交流群
圖3為實(shí)驗(yàn)電路，三相交流電源經(jīng)隔離變壓器、不控整流器得到0～1 kV可調(diào)直流電源Udc。Cd1，Cd2為濾波電容，Rd1，Rd2為Cd1，Cd2放電電阻。電路采用兩個(gè)IGBT串聯(lián)模塊。一個(gè)模塊做串聯(lián)開(kāi)關(guān)管V1，V2，另一個(gè)模塊始終關(guān)斷。利用其反并聯(lián)二極管形成續(xù)流回路。驅(qū)動(dòng)脈沖頻率100 Hz，占空比0．01，由TMS320F28335發(fā)出，經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路控制IGBT。驅(qū)動(dòng)芯片為M57962L。Z1，Z2為1N5378B，1N5363B串聯(lián)構(gòu)成。均壓電路參數(shù)：Z1為100 V，Z2為330 V；C=2．2 nF；R1=24 Ω，R2=1．5 kΩ。本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/159275.htm
圖4為無(wú)均壓電路時(shí)串聯(lián)IGBT uCE波形?？梢?jiàn)，在T1階段，由于關(guān)斷延時(shí)和關(guān)斷速率不同，造成串聯(lián)IGBT的uCE不均壓。在T2階段，由于串聯(lián)IGBT拖尾電流不等，造成串聯(lián)IGBT不均壓。加入均壓電路后，如圖5b所示，在第1個(gè)箝位點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了uCE波形兩階段的電壓變化率控制；在第2個(gè)箝位點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了峰值控制。均壓電路對(duì)拖尾電流引起的不均壓和關(guān)斷穩(wěn)態(tài)不均壓都有顯著控制效果。驗(yàn)證了穩(wěn)壓管箝位峰值控制均壓原理的有效性。
當(dāng)串聯(lián)單個(gè)IGBT承受電壓較高時(shí)，電路中穩(wěn)壓二極管需串聯(lián)。由于穩(wěn)壓二極管增多導(dǎo)致可靠性降低，其在高壓大功率場(chǎng)合的使用受到限制。
評(píng)論