摘要：絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)串聯(lián)應用的關鍵技術是均壓控制。峰值控制技術是保證串聯(lián)運行中每個IGBT的集射極電壓都不超過安全極限的有效技術。在介紹IGBT工作特性的基礎上，對串聯(lián)IGBT關斷過程不同動態(tài)時段內(nèi)的均壓控制目標進行了分析，為設計不帶RC緩沖回路的均壓方法提供了理論基礎。綜合各階段控制要點，采用基于穩(wěn)壓管箝位的峰值控制方法，在低壓實驗中實現(xiàn)了有效的串聯(lián)均壓，驗證了理論分析的正確性。最后，針對該方法在高壓應用時的缺點，提出了一種新的峰值控制方法，并通過仿真驗證了該方法均壓控制的有效性。
關鍵詞：絕緣柵雙極型晶體管；均壓；峰值控制

1 引言
隨著電力電子技術的發(fā)展，高壓大功率設備對IGBT的耐壓等級提出更高要求，故IGBT串聯(lián)技術成為研究熱點之一。IGBT串聯(lián)應用的關鍵問題是實現(xiàn)均壓。在眾多IGBT串聯(lián)均壓技術中，最簡單、可靠的方法是并聯(lián)RC緩沖回路。但在高壓場合，考慮到損耗、體積及造價等因素，無RC緩沖回路的均壓方法更實用。此外，基于電壓軌跡控制和門極信號延時調(diào)整等有源方法，因控制電路過于復雜，使用場合受到限制。故有必要基于IGBT特性及均壓控制的要點，選擇更有效的均壓方法。
在此首先分析IGBT各階段均壓控制的目標，采用穩(wěn)壓管箝位的峰值控制技術，在低壓實驗中驗證了該均壓原理的有效性。然后針對該技術在高壓場合應用時的缺點，提出一種新的峰值控制方法，并通過仿真驗證了該方法的有效性。

2 IGBT串聯(lián)均壓控制分析
作為IGBT的主要特性，輸出特性描述的是以門極電壓uGE為參考變量時，集電極電流iC與集射極間電壓uCE的關系。輸出特性分為4個區(qū)域：飽和區(qū)、有源區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)。IGBT的動態(tài)開關過程，主要是在截止區(qū)和飽和區(qū)間來回轉(zhuǎn)換，而在器件的轉(zhuǎn)換過程中經(jīng)過有源區(qū)。
IGBT器件通常有4種工作狀態(tài)：關斷瞬態(tài)、關斷穩(wěn)態(tài)、開通瞬態(tài)、開通穩(wěn)態(tài)。因IGBT不均壓情況在關斷時比開通時更復雜，在此以關斷時的均壓控制為主要研究目標。

按外電路和器件內(nèi)部參數(shù)不一致等因素對uCE不均壓的影響效果，可將串聯(lián)IGBT關斷不均壓過程分為關斷瞬間的T1(uCE上升部分)、T2(拖尾部分)和關斷穩(wěn)態(tài)(T2以后)三階段，如圖1所示。T1階段，主要是由外電路和器件內(nèi)部參數(shù)的差異引起串聯(lián)IGBT的uCE不均壓。此時IGBT工作在有源區(qū)，可通過調(diào)節(jié)uGE對uCE進行控制；T2階段，引起串聯(lián)IGBT的uCE不均壓的主要因素是拖尾電流不同。此時，IGBT進入截止區(qū)，uGE對拖尾電流無影響，由拖尾電流引起的uCE不均壓不受門極直接控制。關斷穩(wěn)態(tài)時，只有很小的漏電流流過IGBT，并聯(lián)合適的均壓電阻即可實現(xiàn)IGBT串聯(lián)運行。

3 基于峰值控制的均壓方法
IGBT均壓最直接的目的就是保證串聯(lián)運行中每個IGBT的uCE都不超過安全極限。所以，對電壓峰值進行控制是很重要、有效的技術路線。峰值控制不關心uCE的中間變化軌跡，只有當uCE升至設定的電壓水平時，均壓控制才開始起作用。當所有串聯(lián)IGBT的uCE峰值都被箝位在給定值之內(nèi)，就實現(xiàn)了動態(tài)均壓的目的。
3．1 穩(wěn)壓管箝位的峰值控制
通過上述對串聯(lián)IGBT均壓階段特性的分析，綜合各階段均壓控制的特點，采用基于穩(wěn)壓管箝位的峰值控制方法實現(xiàn)IGBT串聯(lián)均壓，均壓電路如圖2a所示。該方法將串聯(lián)IGBT的關斷過程進行優(yōu)化，在T1階段，使uCE具有兩階段電壓變化率，如圖2b所示。第1階段電壓變化率較快，以降低損耗：第2階段電壓變化率下降，以降低電壓不均衡度，并為箝位電路贏得更多的響應時間。通過調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)折點和峰值箝位點的值，在IGBT關斷過程的損耗與電壓均衡度之間做出折中。在T2階段，由拖尾電流的差異引起不均壓，通過峰值箝位電路，向門極注入電流，改變uGE，使IGBT進入有源區(qū)，進而控制uCE電壓，達到均壓控制。在關斷穩(wěn)態(tài)時，均壓支路還起到均壓電阻的作用。