文中介紹通過采用MEMS（micro electro mechanical systems）技術(shù)制造的硅壓阻力敏元件結(jié)合智能集成化信號調(diào)理技術(shù)設(shè)計(jì)了適合批量制造的小型化堅(jiān)固封裝的通用汽車壓力傳感器。通過智能調(diào)理技術(shù)將傳感器的零位和滿度進(jìn)行溫度校準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)了寬溫度工作范圍內(nèi)的高精度測量，并且適合于批量制造。

0 引言

當(dāng)今汽車性能的不斷提升得益于汽車電子的不斷發(fā)展。其中具有代表性的核心元件是傳感器。傳感器將各種物理信號轉(zhuǎn)化為電信號從而將汽車行駛的具體狀態(tài)傳送給電子控制單元來實(shí)現(xiàn)汽車控制。作為汽車電子的關(guān)鍵部件在電子技術(shù)蓬勃發(fā)展的今天倍受矚目。美國汽車傳感器權(quán)威弗萊明在2000年的汽車電子技術(shù)綜述就指出了MEMS技術(shù)在汽車傳感器領(lǐng)域的美好前景。設(shè)計(jì)了基于MEMS技術(shù)和智能化信號調(diào)理的擴(kuò)散硅壓力傳感器應(yīng)對汽車壓力系統(tǒng)的壓力檢測。

1 傳感器原理及封裝設(shè)計(jì)

為了將壓力信號轉(zhuǎn)化為電信號采用了應(yīng)變原理，將惠斯頓檢測電橋通過MEMS技術(shù)制作在單晶硅片上。使得單晶硅片成為一個(gè)集應(yīng)力敏感與力電轉(zhuǎn)換為一體的敏感元件。如圖1所示。

圖1敏感元件

當(dāng)硅芯片受到外界的應(yīng)力作用時(shí)，硅應(yīng)變電橋的橋臂電阻將產(chǎn)生變化，一般都為惠斯頓電橋檢測模式。如圖2所示。

圖2惠斯頓電橋

其輸出電壓表示為vo=KAR／R（Rl=如=R3=R4，△R1=△R3=△R2=△R4）。

因?yàn)殡娮璧淖兓苯优c應(yīng)力P有關(guān)，則：

式中：Vo為輸出電壓，mV；S為靈敏度，mV／V／Pa；P為外力或應(yīng)力，Pa；VB為橋壓，VOS為零位輸出，mV.

單一的硅片芯片只能作為一個(gè)檢測單元的一部分無法獨(dú)立完成信號的轉(zhuǎn)換，所以必須有特定的封裝使其具備壓力檢測的能力。將圖2中的硅片芯片與PYREX玻璃環(huán)靜電封接在一起。