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          通用LED驅(qū)動(dòng)控制器的應(yīng)用

          作者: 時(shí)間:2011-04-06 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          恒定頻率模式的參數(shù)選擇及計(jì)算
          一種市電220VAC供電按、恒定頻率模式工作的電路如圖4所示,該電路不調(diào)光,LD端及PWMD端必須接VDD。有關(guān)參數(shù)及選擇及計(jì)算如下。


          1全波整流橋(或整流二極管)的選擇
          全波整流橋的耐壓VBRI及正向電流IBRI的計(jì)算公式為
          VBRI=1.5(√2 VLINEmax) (1)
          IBRI=VOmax×IOmax/VINmin×η (2)
          式中,VLINEmax為最大市電電壓、VOmax為輸出最大電壓、IOmax為輸出最大電流、VINmin是輸入最小直流電壓、η為器的轉(zhuǎn)換效率(η一般在0.85~0.9之間)。公式(1)中的1.5是安全系數(shù)。


          例如,采用220V市電,有±10%的允差,即VLINEmax= 242VAC,VLINEmix=198VAC,則VBRI=1.5×(√2×242)=513.2V。若VOmax=40V,IOmax=350mA,VINmin=√2 198V,η=0.85,則IBRI=40V×0.35A/√2 ×198×0.85=0.06A。因此可選600V/0.5A的全橋,或選4×4007二極管組成全波整流電路。


          2 濾波電容C1的計(jì)算
          全波整流后的電壓波形是“饅頭波”,需濾波電容C1作平滑濾波,C1的計(jì)算公式為
          (3)
          式中,freq是市電的頻率(freq=50Hz)。
          若VOmax=40V,IOmax=0.35A,VLINEmix=198VAC,VINmin=×198V,η=0.85,則帶入式(3)得,C1≥13.9μF。則可取10μF/400V的鋁電解電容器和4.7μF/400V的鋁電解電解并聯(lián)。如果要求器體積小,則可用1個(gè)10μF/400V,其輸出紋波稍大些。


          3 開(kāi)關(guān)管頻率的選擇
          開(kāi)關(guān)管頻率fosc與電感器的大小有關(guān),在220V市電供電時(shí),fosc一般取25~150kHz。確定額定頻率的外接電阻RT與fosc關(guān)系為


          fosc=25000/[RTkΩ+22](kHz) (4)


          若fosc選100kHz,代入式(4),RT=228kΩ。


          4 檢測(cè)電流(IOmax)電阻RCS的計(jì)算


          RCS與流過(guò)的電流IOmax(Imax)的關(guān)系式為
          RSC=0.25/(1.15×IOmax)(Ω) (5)


          例如,IOmax=0.35A,則代入式(5),得RSC為0.62Ω。


          5 電感器L1的計(jì)算
          電感器的電感量取決于流過(guò)LED的紋波電流。若紋波電流占ILED的30%(±15%),L1的計(jì)算式為
          (6)
          式中,VLINEnom為輸入交流市電的額定值,即VLINEnom=220VAC。
          若VOmax=40V、VLINEnom= 220VAC、IOmax=0.35A、fosc= 100kHz,則L1=3.31mH,可取3.3mH。
          電感的峰值電流IP為
          IP=IOmax×1.15(A) (7)
          則在IOmax=0.35A時(shí),IP=0.35 ×1.15=0.4A。
          在選擇3.3mH電感量時(shí),其飽和電流應(yīng)大于IP×1.3。即飽和電流應(yīng)大于0.4A×1.3>1.52A。


          6 選擇開(kāi)關(guān)管Q1及續(xù)流二極管D1
          開(kāi)關(guān)管為N溝通功率MOSFET,其最大的耐壓VFET(VDSS)為


          VFET=1.5(VLINEmax)(V) (8)
          若VLINEmax=242V,則VFET為513V。


          MOSFET最大的漏極電流IFET(ID)=IOmax×(A) (9)
          若IOmax=0.35A,則IFET為0.247A。但在選擇Q1時(shí),其ID要選約為3倍的IFET,即選ID=1A的MOSFET。
          為減小開(kāi)關(guān)管Q1的損耗,應(yīng)選擇導(dǎo)通電阻RDS(ON)?。ㄒ话闳DS(ON)<1Ω)、柵極電容Qg小的MOSFET,可提高轉(zhuǎn)換效率并可減小散熱片的尺寸。

          圖4 外部器件的選取


          根據(jù)上述計(jì)算可選擇STD5NM50,其主要參數(shù)為:VDSS=500V、RDS(ON)<0.8Ω、ID=7.5A,Qg=13nC。
          續(xù)流二極管D1的耐壓與VFET相同,其電流IDIODE為
          IDIODE=0.5×IOmax(A) (10)
          可選擇600V/1A的快速恢復(fù)二極管,如STTH2R06。其主要參數(shù):VRRM=600V、IR(AV)=2A、VF=1V、trr=35ns(典型值)。



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