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Vishay全集成接近傳感器榮獲2024年度中國IoT創(chuàng)新獎和2024年度EE Awards亞洲金選獎
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，公司的VCNL36828P全集成接近傳感器榮獲兩項(xiàng)行業(yè)大獎。器件分別獲得2024年度中國IoT創(chuàng)新獎的“IoT年度產(chǎn)品獎”以及2024年度 EE Awards亞洲金選獎的“年度最佳傳感器獎”。IoT創(chuàng)新獎由領(lǐng)先的電子科技媒體《電子發(fā)燒友網(wǎng)》主辦，已連續(xù)成功舉辦八屆，旨在表彰過去一年推出的對物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響的產(chǎn)品和技術(shù)。EE Awards亞洲金選獎由全球技術(shù)電子領(lǐng)域最大的媒體集團(tuán)AspenCore主辦，旨在表彰為亞洲電子行業(yè)的
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Vishay推出應(yīng)用于對安全要求極高的電子系統(tǒng)的新款1 Form A固態(tài)繼電器
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款1 Form A固態(tài)繼電器---VOR1060M4，該器件采用薄形SOP-4封裝，提供600 V負(fù)載電壓和3750 VRMS隔離電壓。Vishay? VOR1060M4旨在為儲能、工業(yè)和移動應(yīng)用提供快速開關(guān)，可提供0.3 ms的快速導(dǎo)通時間（典型值）和2 nA的低漏電流。日前發(fā)布的這款光隔離器件采用先進(jìn)的紅外發(fā)射器和光電二極管，導(dǎo)通時間快，非常適合對安全要求極高的應(yīng)用。固態(tài)繼電器的漏電流較低，使器件可在敏感的低電
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Vishay推出性能先進(jìn)的新款40V MOSFET
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導(dǎo)通電阻降低了32 %，同時比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導(dǎo)通電阻低58 %。日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導(dǎo)通電阻低至0
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Vishay推出采用TO-263（D2PAK）封裝，具有多脈沖處理能力的車規(guī)級表面貼裝厚膜功率電阻器
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布， 推出TO-263（D2PAK）封裝新型車規(guī)級表面貼裝厚膜功率電阻器---D2TO35M。Vishay Sfernice D2TO35M通過AEC-Q200認(rèn)證，具有多脈沖處理能力，25 °C殼溫下功率耗散達(dá)35 W，適用于各種汽車應(yīng)用。日前發(fā)布的器件功率耗散和穩(wěn)定性均優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)TO-263（D2PAK）封裝器件，適用于多脈沖和重復(fù)脈沖條件下使用。電阻器25 °C下1000次脈沖最大阻值偏移為2%，100 000次脈沖阻值偏移小于5
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Vishay推出采用eSMP系列SMF（DO-219AB）封裝的全新1A和2A Gen 7 1200V FRED Pt超快恢復(fù)整流器
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP? 系列SMF（DO-219AB）封裝的汽車級器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復(fù)整流器平臺陣容。1 A 和 2 A 整流器針對工業(yè)和汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，在同類器件中，不僅在反向恢復(fù)電荷（Qrr）和正向壓降之間實(shí)現(xiàn)了權(quán)衡，還提供了更低的結(jié)電容和更短恢復(fù)時間。日前發(fā)
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Vishay推出采用eSMP系列SMF（DO-219AB）封裝的全新1A和2A Gen 7 1200 V FRED Pt超快恢復(fù)整流器
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP? 系列SMF（DO-219AB）封裝的汽車級器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復(fù)整流器平臺陣容。1 A 和 2 A 整流器針對工業(yè)和汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，在同類器件中，不僅在反向恢復(fù)電荷（Qrr）和正向壓降之間實(shí)現(xiàn)了權(quán)衡，還提供了更低的結(jié)電容和更短恢復(fù)時間。日前發(fā)
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Vishay推出采用eSMP系列SMF（DO-219AB）封裝的全新1A和2A Gen 7 1200V FRED Pt超快恢復(fù)整流器
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP? 系列SMF（DO-219AB）封裝的汽車級器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復(fù)整流器平臺陣容。1 A 和 2 A 整流器針對工業(yè)和汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，在同類器件中，不僅在反向恢復(fù)電荷（Qrr）和正向壓降之間實(shí)現(xiàn)了權(quán)衡，還提供了更低的結(jié)電容和更短恢復(fù)時間。日前發(fā)
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Vishay新款150V MOSFET具備業(yè)界領(lǐng)先的功率損耗性能
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導(dǎo)通電阻降低了68.3 %，導(dǎo)通電阻和柵極電荷乘積（功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)（FOM）降低了1
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Vishay推出適用于惡劣環(huán)境的緊湊型密封式SMD微調(diào)電阻器
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出最新TS7系列單圈表面貼裝式陶瓷微調(diào)電阻器。TS7的微調(diào)器采用6.7 mm x 7 mm的緊湊尺寸，高度為5 mm，非常適合惡劣環(huán)境中需要優(yōu)化電路板空間的應(yīng)用。TS7系列旨在支持自動化裝配和設(shè)置流程，提高生產(chǎn)效率，同時縮短時間并降低成本。微調(diào)電阻器完全密封，可承受標(biāo)準(zhǔn)電路板清洗處理，從而在嚴(yán)苛的工業(yè)、消費(fèi)和通信環(huán)境中確保器件的可靠性。TS7系列在+70 °C時的額定功率為0.5 W，可采用頂部和側(cè)面兩種調(diào)節(jié)方式，可靈活地滿足多
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Vishay推出的新款高能浪涌限流PTC熱敏電阻，可提高有源充放電電路性能
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列新型浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL高能系列器件最大能量吸收能力達(dá)340 J，比高環(huán)境溫度下競品器件高五倍，在25 °C（R25）條件下阻值范圍寬，具有高電壓處理能力，可提高汽車和工業(yè)應(yīng)用中有源充放電電路的性能。日前發(fā)布的熱敏電阻R25阻值為150 W至1.5 kW，可實(shí)現(xiàn)更高效率，并處理高達(dá)1200 VDC的最高電壓。器件在更高環(huán)境溫度下的能量吸收
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Vishay的采用延展型SO-6封裝的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動器實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì)、快速開關(guān)和高壓
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用緊湊、高隔離延展型SO-6封裝的最新IGBT和MOSFET驅(qū)動器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值輸出電流分別達(dá)3 A和4 A，工作溫度高達(dá)+125 °C，傳播延遲低至200 ns。今天發(fā)布的光耦合器包含一個AlGaAs LED（該LED通過光學(xué)耦合方式連接到具有功率輸出級的集成電路，用于太陽能逆變器和微逆變器）、交流和無刷直流工業(yè)電機(jī)控制逆變器，以及用于U
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Vishay推出通過AEC-Q102認(rèn)證，負(fù)載電壓達(dá)100V的業(yè)內(nèi)先進(jìn)的1FormA固態(tài)繼電器
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的1 Form A固態(tài)繼電器--- VORA1010M4，該器件通過AEC-Q102認(rèn)證，負(fù)載電壓達(dá)100 V。Vishay Semiconductors VORA1010M4采用薄型SOP-4封裝，典型導(dǎo)通和關(guān)斷時間達(dá)到業(yè)內(nèi)出色的0.1 ms，工作溫度可達(dá)+125 °C。日前發(fā)布的光隔離器件集成關(guān)斷電路提高關(guān)斷速度，先進(jìn)的紅外發(fā)射器和光電二極管組合陣列實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通。固態(tài)繼電器具有出色的開關(guān)性能，是安全關(guān)鍵性應(yīng)用的理想
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Vishay面向車載以太網(wǎng)推出超小型高可靠性ESD保護(hù)二極管
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款采用易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤DFN1006-2B小型封裝全新車規(guī)級雙向單路ESD保護(hù)二極管---VETH100A1DD1。該器件節(jié)省空間，專門用于車載以太網(wǎng)，符合OPEN Alliance 100Base-T1和1000Base-T1規(guī)范，鉗位電壓、動態(tài)電阻和電容低，可保護(hù)高速數(shù)據(jù)線免受瞬態(tài)電壓信號的影響。日前發(fā)布的器件占位面積和高度均小于其他標(biāo)準(zhǔn)封裝器件。由于采用觸發(fā)電壓 > 100 V的回彈技術(shù)（snap-back
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Vishay推出新型1008封裝商用版和車規(guī)級功率電感器
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新型1008封裝功率電感器---商用版IHLL-1008AB-1Z和車規(guī)級IHLP-1008ABEZ-5A，外形尺寸為2.5 mm x 2.0 mm x 1.2 mm。今天推出的這兩款功率電感器性能與更大一級的IHLP?電感器相同，占位面積只有55 %，工作溫度高達(dá)+165°C，具有寬電感范圍和低直流內(nèi)阻（DCR）。IHLL-1008AB-1Z只有底部是電鍍的端子，可縮小基板布局，實(shí)現(xiàn)緊湊的板間距，電感典型值0.33 mH
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美國半導(dǎo)體公司Vishay官宣重組！800人被裁、關(guān)閉上海等三家工廠
- 9月25日消息，美國分立半導(dǎo)體和無源元件制造商Vishay Intertechnology（威世科技）宣布了重組計(jì)劃，包括關(guān)閉三家制造工廠和裁員約800人。根據(jù)Vishay的官方聲明，被關(guān)閉的工廠包括位于中國上海的二極管封裝工廠，以及位于德國菲希特爾貝格和美國威斯康星州密爾沃基的兩家電阻器工廠。這些工廠的關(guān)閉預(yù)計(jì)將于2026年底完成，生產(chǎn)轉(zhuǎn)移將于2025年第四季度開始。此次重組將導(dǎo)致Vishay減少約365名直接員工，精簡其銷售、一般和行政職能，約170名員工將受到影響，制造運(yùn)營和生產(chǎn)轉(zhuǎn)移也將導(dǎo)致制造和生
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vishay介紹
威世（VISHAY）集團(tuán)成立于1962年，總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團(tuán)通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商之一。目前集團(tuán)已有69個制造基地遍布全球17個國家，其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團(tuán)被美國財(cái)富雜志評為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計(jì)算機(jī) [ 查看詳細(xì) ]
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