首先，一個高速體二極管比較器用于檢測QF開始導(dǎo)通時的體二極管，它在變壓器復(fù)位時間間隔結(jié)束時發(fā)信號，偏巧如圖6所示，這個比較器還將檢測出的初級側(cè)MOSFET Q1關(guān)斷后令其體二極管正好導(dǎo)通。

　　使用該比較器僅單獨為開啟QF，并確保在Q1進入關(guān)斷的時間。這樣變壓器將絕不容許復(fù)位。為防止這一點，用一個低速比較器檢測QF的源漏電壓升至2.5V。當(dāng)QF源漏電壓升過2.5V時，設(shè)置了一個預(yù)置鎖存調(diào)節(jié)，它將使高速體二極管比較器能輸出工作。在QF源漏電壓降過-300mV的體二極管比較器閾值，QF就立刻導(dǎo)通，并設(shè)置QF的控制鎖存。在高速比較器輸出變成高電平。預(yù)置鎖存即刻復(fù)位，開啟電路在下次導(dǎo)通事件中就處在恰當(dāng)狀態(tài)。從體二極管比較器檢測出體二極管的導(dǎo)通固有延遲期間，到QF導(dǎo)通的通道，體二極管傳導(dǎo)變壓器的磁化電流。雖然在此間隔內(nèi)，在QF體二極管有導(dǎo)通損耗，但與之相比，這已是QF遇到的最小的損耗。如果QF在此糟糕的時間間隔還保持關(guān)斷的話。為完全消除這個損耗，用一個相同的預(yù)先控制的方案，用來開啟VR，雖然這在理論上是可以的，但實際上會相當(dāng)困難，因為此處沒有PWM控制信號的脈沖沿存在，此時系變壓器完全復(fù)位的狀態(tài)。

　　圖6 VR預(yù)鎖存波形

　　一個輸出起始設(shè)置在零的計數(shù)器控制著關(guān)斷電路。采用將計數(shù)器輸出全部設(shè)置為0，也即在PWM控制信號的下降沿及QF的柵源電壓之間實際上為零延時，結(jié)果QF的柵源電壓，VR的漏源電壓以及與門輸出的三個波形示于圖7(a)。

　　圖7 VF的關(guān)斷波形

　　(a)非最佳延遲(b)最佳延遲

　　VF關(guān)斷電路中的與門更多的作用如VR開啟控制電路中的或門，給一個命令到計數(shù)器，以直接令計數(shù)器向上或向下記數(shù)。在VF的關(guān)斷電路的情況，一個高電平從與門直達計數(shù)器以便在下個周期中向上記數(shù)。當(dāng)計數(shù)器為下個周期增加一個記數(shù)值，則PWM控制器的下降沿與VF的柵源電壓之間的延遲就會增加，從與門的輸出脈沖就會變窄，這個反饋影響將持續(xù)到VF的柵源電壓和VR的漏源電壓能夠同步。當(dāng)延遲最佳化時，波形示于圖7(b)。

　　如在VR控制執(zhí)行電路中所描述，電路將會在兩個延遲值之間抖動，一個是最佳值，而另一個比最佳值略長一些。