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          1.5GHz BiCMOS級(jí)間電感匹配低噪聲放大器設(shè)計(jì)

          ——
          作者:電子科技大學(xué) 石峰 易新敏 王向展、西南科技大學(xué) 熊莉英 時(shí)間:2006-10-06 來源:今日電子 收藏

          在一個(gè)系統(tǒng)中,為了獲得良好的總體系統(tǒng)性能,需要一個(gè)性能優(yōu)越的前端,而低噪聲放大器()就是前端的一個(gè)重要組成部分。

          由于共源共柵級(jí)結(jié)構(gòu)能同時(shí)滿足噪聲和功率匹配的要求,因此在的設(shè)計(jì)中被廣泛采用。但共源級(jí)和共柵級(jí)之間的匹配是個(gè)關(guān)鍵問題,筆者通過在其之間插入一個(gè)級(jí)間匹配電感,使得這個(gè)問題得以解決。

          低噪聲放大器電路結(jié)構(gòu)

          低噪聲放大器作為射頻信號(hào)傳輸鏈路的第一級(jí),必須滿足以下要求:首先,具有足夠高的增益及接收靈敏度;其次,具有足夠高的線性度,以抑止干擾和防止靈敏度下降;第三,端口匹配良好,信號(hào)能夠有效地傳輸。另外,還要滿足有效隔離、防止信號(hào)泄漏以及穩(wěn)定性等方面的要求。

          通常,射頻電路端口要與50Ω阻抗匹配,為了滿足輸入端功率匹配條件,一般采用源極串聯(lián)電感反饋匹配結(jié)構(gòu),如圖1所示。圖2是該結(jié)構(gòu)的小信號(hào)圖。


          圖1  源極串聯(lián)電感反饋匹配結(jié)構(gòu)


          圖2 源極串聯(lián)電感反饋匹配結(jié)構(gòu)的小信號(hào)圖

          在圖1、圖2中,Lg為柵極串連電感,LS為源極串連電感,Cgs為等效柵源電容。由圖2可得:

          (1)

          當(dāng)諧振時(shí)有:

          (2)

          其中,

          這種結(jié)構(gòu)用電感來等效實(shí)電阻進(jìn)行阻抗匹配,沒有引入過多的噪聲,因此被廣泛采用。

          噪聲分析及優(yōu)化

          低噪聲放大器中的噪聲主要包括溝道電流噪聲、感應(yīng)柵電流噪聲和柵電阻噪聲,其小信號(hào)等效電路如圖3所示。


          圖3 小信號(hào)等效噪聲電路

          其中,溝道電流噪聲是載流子和熱振動(dòng)原子的隨機(jī)碰撞引起的,其表達(dá)式為

          (3)

          式中,gd0為漏源偏置為0時(shí)的漏極輸出電導(dǎo); 為MOS管的跨導(dǎo); 為與器件工藝和偏置相關(guān)的常數(shù),值為2/3~2;α=gm/gd0 <1。

          另外一個(gè)噪聲源是柵電阻噪聲,通過多指狀柵的結(jié)構(gòu)縮減柵電阻的方法可以減小它。

          柵電流噪聲則是由于溝道載流子的擾動(dòng)經(jīng)由柵電容耦合到柵極形成的,其表達(dá)式為

          (4)

          其中,;δ表示柵噪聲系數(shù),值在4/3~15/2之間。

          噪聲系數(shù)F定義為輸入信噪比與輸出信噪比的比值:

          (5)

          式中,G表示功率增益。這里的噪聲是指總的輸出噪聲與源阻抗在輸出端產(chǎn)生的噪聲的比值,因此我們得到這種結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器的噪聲系數(shù)為

          (6)

          (7)

          (8)

          式中,RS為源阻抗,RL和Rg分別是Lg的等效寄生電阻和MOS管的柵電阻。

          在圖1中,忽略了Cgd的影響,但它的存在對(duì)電路的影響很大,因?yàn)檩敵鰰?huì)通過它反饋到輸入,一方面惡化噪聲性能,另一方面促使電路不穩(wěn)定。所以,要采用兩級(jí)級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)來抑制柵漏電容,這樣不僅提高了穩(wěn)定性,改善了噪聲性能,還能提供較大增益。不過最關(guān)鍵的就是在兩個(gè)MOS管M1和M2之間插入一個(gè)片上集成電感Lm,如圖4所示。


          圖4  共源共柵結(jié)構(gòu)的

          原因是M1和M2為單獨(dú)的管子,它們之間存在較大的寄生電容,影響了信號(hào)的傳輸,從而惡化噪聲系數(shù)。而加入的電感能加強(qiáng)他們之間的匹配,使噪聲性能和增益有所改善。

          根據(jù)不同的級(jí)間匹配電感值,增益和噪聲的變化如圖5和圖6所示。


          圖5 不同電感值增益的變化


          圖6 不同電感值噪聲的變化

          由上圖的結(jié)果可知,當(dāng)匹配電感的值取5nH時(shí),效果最理想。

          設(shè)計(jì)與仿真結(jié)果

          本設(shè)計(jì)采用單端結(jié)構(gòu),全單片集成,具體電路見圖7。


          圖7 低噪聲放大器電路圖

          整個(gè)設(shè)計(jì)基于了TSMC 0.35μm鍺硅射頻工藝模型。為了提高集成度,所有的電感都采用片上集成電感,為平面螺旋八邊形,用頂層金屬繞制而成。輸出端采用的是LC槽電路,諧振時(shí)阻抗很大,有選頻和提高增益的作用。

          為了降低功耗,電源電壓為1.5V,工作頻率1.5G,靜態(tài)功耗約為16.5mW。用Cadence中spectreRF進(jìn)行仿真,得到輸入反射系數(shù)(S11)和輸出反射系數(shù)(S22)分別為-7.4dB和-20.8dB。

          由于采用級(jí)間匹配電感,中心頻率處的電路增益提高了約3dB,達(dá)17.7dB,提高了約20%;噪聲系數(shù)降低了約     0.45dB,為2.05dB,降低了約18%,變化曲線如圖8和圖9所示。


          圖8  匹配前后的增益變化


          圖9  匹配前后的噪聲變化

          低噪聲放大器除了提供較低的噪聲,較高的增益外,還需要有較好的線性度,以避免較強(qiáng)信號(hào)的干擾。線性度一般用三階交調(diào)點(diǎn)(IP3)來衡量,包括輸入三階交調(diào)點(diǎn)(IIP3)和輸出三階交調(diào)點(diǎn)(OIP3),可以采用雙音測試法來測量,即在輸入端加入兩個(gè)頻率相近幅值相等的兩個(gè)信號(hào),然后改變幅值來測量,結(jié)果如圖10所示。輸入三階交調(diào)點(diǎn)(IIP3)約為5.2dBm。


          圖10 放大器的線性度(IIP3)

          參考文獻(xiàn)

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          3. Xuechu Li, Qingyun Gao, Shicai Qin. “An improved CMOS RF low noise amplifier”. ASIC, 2003. Proceedings. 5th International Conference Vol.2, 21-24 pp.1102-1105 Oct. 2003
          4. Seyed Hossein,Miri Lavasani,Sayfe Kiaei. “A new method to stabilize high frequency high gain CMOS LNA”. Electronics, Circuits and Systems, 2003. ICECS 2003. Proceedings of the 2003 10th IEEE International Conference, pp.982-985 Vol.3 Dec. 2003
          5. 曹克,楊華中. 低電壓低功耗CMOS射頻低噪聲放大器的研究進(jìn)展. 微電子學(xué) 2003.8,33(4), 317-323


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