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          大功率LED的熱量分析與設計

          作者: 時間:2012-02-15 來源:網絡 收藏

          三、熱阻的測量

          1. 原理

          半導體材料的電導率具有熱敏性,改變溫度可以顯著改變半導體中的載流子的數量。禁帶寬度通常隨溫度的升高而降低,且在室溫以上隨溫度的變化具有良好的線性關系,可以認為半導體器件的正向壓降與結溫是線性變化關系:
          ΔVf=kΔTj (K:正向壓降隨溫度變化的系數)
          則從公式(1)及其推導可知,的熱阻(結點到環(huán)境)為:
          Rthja=ΔVf /(K*Pd )
          式中, Pd=熱消散速率,目前約有60%~70%的電能轉化為熱能,可取Pd=0.65*If*Vf計算。
          只要監(jiān)測正向壓降Vf的改變,便可以求得K值并算出熱阻。

          2. 測量系統(tǒng)

          熱阻測試系統(tǒng)如圖4,要求測試中采用的恒溫箱控溫精度為±1℃,電壓精度1mv。圖中R1是分流電阻,R2用來調整流過LED的電流大小,通過電阻R1、R2和恒流源自身的輸出調節(jié),可以精確控制流過LED的電流大小,保證整個測試過程中流過LED的電流值恒定。

          3. 測試過程
          (1)測量溫度系數K:
          a. 將LED置于溫度為Ta的恒溫箱中足夠時間至熱平衡,此時Tj1= Ta ;
          b. 用低電流(可以忽略其產生的對LED的影響,如If’ = 10mA)快速點測LED的Vf1;
          c. 將LED置于溫度為Ta’(Ta’>Ta)的恒溫箱中足夠時間至熱平衡,Tj2=Ta’;
          d. 重復步驟2,測得Vf2;
          e. 計算K:K=(Vf2-Vf1)/(Tj2-Tj1)=(Vf2-Vf1)/( Ta’- Ta)
          (2)測量在輸入電功率加熱狀態(tài)下的變化:
          a. 將LED置于溫度為Ta的恒溫箱中,給LED輸入額定If使其產生自加熱;
          b. 維持恒定If足夠時間至LED工作熱平衡,此時Vf達至穩(wěn)定,記錄If ,Vf;
          c. 測量LED熱沉溫度(取其最高點)Ts;
          d. 切斷輸入電功率的電源,立即(〈10ms)進行(1)之b步驟,測量Vf3。
          (3)數據處理:△Vf= Vf3-Vf1,
          取Pd=0.65*If*Vf計算:Rthja=△Vf/(K*Pd)Rthsa=(Ts-Ta)/Pd=(Ts-Ta)/(0.65*IF*Vf)Rthjs=Rthja-Rthsa

          四、討論
          1. Tj (P-N結點溫度)
          一般而言,溫度會影響P-N結禁帶寬度,結點溫度升高造成禁帶寬度變窄,使得發(fā)光波長偏移,并引發(fā)更多的非可見光輻射導致發(fā)光效率降低。另外,晶片溫度過高會對晶片粘結膠及四周的保護膠造成不良影響,加快其老化速度,甚至可能引起失效。Lumileds公司提出的失效計算公式如下:

          其中, 是結點溫度為T2時的失效概率,是結點溫度為T1時的失效概率,EA= 0.43eV,K=8.617*10-5 eV/K。根據此公式,失效概率隨著Tj的升高會愈來愈槽糕。
          LED產品的最高結點溫度(Tjmax)的高低主要取決于晶片的性能,若是封裝材料受溫度限制則Tjmax需適當降低,通常Tjmax不能大于125℃。但是,隨著晶片技術的進步和封裝技術的提高,目前可見到的K2系列產品之Tjmax已經能達到150℃。
          1. 計算、測量熱阻的意義
          1) 為LED封裝散熱提供理論和實踐依據

          a. 選擇合適的晶片:對晶片不能只要求出光效率高,必需針對制程中解決散熱的能力采用足夠高

          Tjmax的晶片。在實踐中我們發(fā)現,某些種類的晶片只經過24H老化就有較大衰減,這與其耐高溫性能比較差相關。

          b. 評估/選擇支架、散熱鋁基板:依Rthsa或Rthba作為目標值,查對物料供應商提供的物料資料并計算其熱阻,剔除不合要求的物料。通過試樣,測試、對比不同物料的熱阻,可做到擇優(yōu)而用。

          C. 評估粘結膠及其效果:一般使用到的晶片粘結膠是銀膠或錫膏,熱沉與散熱鋁基電路板間的結合膠是導熱硅膠或其它散熱膠,膠體的導熱系數、膠的厚度、結合面的質量制約熱阻的大小。粘結膠是否合適,必需通過實驗,測得熱阻作為評估結論的判斷依據之一。

          2) 推測Tj

          通過熱阻等參數可以推測Tj,進而可以與設定的Tjmax比較,檢驗Tj是否符合要求。晶片溫度與產品失效概率密切相關,在知悉某Tj時的失效概率的情況下,可以求得產品在推測出來的Tj時的失效概率。
          3) 評估LED工作時可能遭遇的最高環(huán)境溫度

          設定Tjmax后,相應地可以導出環(huán)境溫度的最高值。為了保證產品的信賴性,大功率LED產品應給出散熱鋁基電路板的表面最高溫度或環(huán)境(空氣)溫度以指導下游應用產品的開發(fā)。

          2. 在大功率LED的應用中改善處理

          前面提到大功率LED的P-N結溫(Tj)過高會引起發(fā)光衰減、使用壽命縮短、波長漂移等問題,為保證Tj低于Tjmax,要求合理二次散熱結構,并計算最大輸入功率、大功率LED應用產品的環(huán)境溫度。
          大功率LED應用產品時,應盡量選擇導熱性較好的材料并設計散熱通道,減少熱阻薄弱環(huán)節(jié)。使用過程中,對于Ta較高的環(huán)境,在無法減小熱阻的情況下,可適當降低輸入電功率,即減少Pd值,犧牲亮度以保證信賴性。

          五、總結

          通過對大功率LED熱的產生、熱阻、結溫概念的理解和理論公式的推導及熱阻測量,我們可以指導大功率LED的實際封裝設計、評估和產品應用。需要說明的是,文中說明的電壓法測量熱阻方法簡單但操作上有一定難度,需反復實驗、修正。管理是在LED產品的發(fā)光效率不高的現階段的關鍵問題,從根本上提高發(fā)光效率以減少熱能的產生才是釜底抽薪之舉,這需要晶片制造、LED封裝及應用產品開發(fā)各環(huán)節(jié)技術的進步。

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