典型應(yīng)用如圖7所示，時(shí)序可以調(diào)整，以便應(yīng)對不同的狀態(tài)。任何情況下，延遲電容（圖7電路圖中的C5）必須為陶瓷型，以減小漏電流，低成本的電解電容不適合在這應(yīng)用。如前所述，無需MCU的額外輸入/輸出即可激發(fā)漸進(jìn)時(shí)序，啟動(dòng)信號(hào)即可實(shí)現(xiàn)兩種功能。

　　另一方面，電流參考電阻（圖7電路圖中的R3）減小到5.6 kΩ時(shí)，可補(bǔ)償晶體管Q1的Vcesat。

　　圖8、圖9中的波形說明了采用Rb=1.3 MΩ/Cbe=2.2mF產(chǎn)生軟啟動(dòng)時(shí)，輸出至4個(gè)LED的電流均為25 mA。當(dāng)然，通過調(diào)整Rb/Cbe網(wǎng)絡(luò)可以增加或減小斜升延遲。但1.5 MΩ以上的Rb值將造成系統(tǒng)對環(huán)境噪聲敏感。如前所述，Cbe電容不可采用低成本電解電容，必須采用陶瓷型電容，以實(shí)現(xiàn)所期望的長時(shí)序。

　　可以采用小信號(hào)NMOS器件替代外部晶體管Q1，如BSS138。由于門極輸入不吸收電流，可以產(chǎn)生更大時(shí)延。雖然還可以采用更小的器件運(yùn)行這種應(yīng)用，但必須避免所選NMOS的大Rdson造成的非受控工作電流。實(shí)際上，對于Rdson額定值為5000Ω的器件，上述參數(shù)變化較大（在整個(gè)溫度范圍內(nèi)大概為1:2），且輸出電流同時(shí)變化，使得LED亮度不均勻。因此，必須選擇Rdson較小的器件，以確保LED在正常工作中可準(zhǔn)確控制。

　　另外，由于NMOS的Vt大于雙極型器件Vbe的兩倍，采用NMOS器件一般不會(huì)在開始時(shí)序上增加工作延遲：Vbe為0.6 V時(shí)，范圍在1.5 V。圖10和圖11中的PSPICE波形解釋了這種狀態(tài)。設(shè)計(jì)人員可選擇適當(dāng)?shù)钠骷愋停?a class="contentlabel" href="http://cafeforensic.com/news/listbylabel/label/實(shí)現(xiàn)">實(shí)現(xiàn)這種功能。