色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          新聞中心

          EEPW首頁 > EDA/PCB > 市場分析 > 聯(lián)電:28nm年底占1%至3%

          聯(lián)電:28nm年底占1%至3%

          作者: 時間:2013-09-30 來源:IC設計與制造 收藏

            晶圓代工廠傳出制程良率已突破7成,獲聯(lián)發(fā)科擴大下單。對此不評論,表示28奈米進展如預期,今年底將貢獻1%至3%業(yè)績。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/174419.htm

            近日在制程良率提升獲重大突破利多激勵下,股價表現(xiàn)強勁,今天盤中一度達新臺幣13.35元,上漲0.75元,漲幅達5.95%,并創(chuàng)1個多月來新高價。

            聯(lián)電表示,不評論市場傳言,制程進展符合預期。

            聯(lián)電執(zhí)行長顏博文于8月法人說明會中即曾預期,今年底28奈米制程將貢獻1%至3%業(yè)績;40奈米以下先進制程比重第3季可望逼近2成水準。



          關鍵詞: 聯(lián)電 28nm

          評論


          相關推薦

          技術專區(qū)

          關閉