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          二代大功率IGBT短路保護(hù)和有源鉗位電路設(shè)計

          作者: 時間:2013-05-18 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:通過分析IGBT的器件特性和短路特性,以瑞士CONCEPT公司最新推出的作為核心部件,設(shè)計了大功率IGBT的電路。
          關(guān)鍵詞:;;;;

          0 引言
          耐壓高、電流大、飽和壓降低、工作頻率高,是大功率逆變器、電源等電力電子裝置的首選功率器件。但I(xiàn)GBT抗過載能力不高,設(shè)計發(fā)揮IGBT性能、高可靠性的IGBT驅(qū)動電路,是設(shè)計者必須考慮的問題。本文從應(yīng)用角度,分析了IGBT的特性和短路特性,以瑞士CONCEPT公司最新推出的為核心部件,設(shè)計了大功率IGBT的電路,試驗驗證該驅(qū)動器具有良好的驅(qū)動及保護(hù)能力。

          1 IGBT的特性分析
          1.1 IGBT損壞原因分析
          在使用過程中損壞的主要原因有:VCE過壓、VCE過壓、過高的dv/dt、過高的靜電(ESD)、過流、短路、過高的di/dt、過高的結(jié)溫等,IGBT驅(qū)動電路能保護(hù)的項目有:VCE過壓、VCE過壓、過高的dv/dt、短路、過高的di/dt。
          1.2 IGBT的外特性
          圖1是IGBT的外特性圖,通常IGBT的datasheet中只給出額定電流的2倍曲線的外特性(左下角),電流再大的部分屬于定性不定量的示意圖。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/175794.htm


          它表示,在短路發(fā)生時,電流的絕對值與電壓、回路中的電感量及整個過程持續(xù)的時間有關(guān)系。絕大部分的短路,母線電壓都是在額定點的,影響短路電流的因素主要是“短路回路中的電感量”。因此依據(jù)短路回路中的電感量,可將短路分為一類短路和二類短路。
          發(fā)生一類短路時,回路中的電感量很小(100nH級),見圖2。IGBT的電流會快速上升,當(dāng)電流上升到4倍額定電流,IGBT發(fā)生退飽和現(xiàn)象,IGBT的電壓會迅速上升至直流母線電壓,芯片的損耗非常大。驅(qū)動器需在10us內(nèi)把IGBT關(guān)斷,稱短路保護(hù)。

          c.JPG


          發(fā)生二類短路時,由于回路的電感量稍大(uH級),電流爬升的速度慢(相比一類),IGBT的Vcesat下降至飽和壓降,隨著電流進(jìn)一步加大,飽和壓降輕微上升,之后存在兩種情況:
          ●電流能到達(dá)“退飽和點”時,Vcesat迅速上升至直流母線電壓,10μs內(nèi)驅(qū)動器關(guān)斷IGBT,IGBT得到保護(hù);
          ●當(dāng)電流爬升慢,IGBT不發(fā)生退飽和現(xiàn)象,IGBT處于過流狀態(tài)。如果不及時關(guān)斷,由于電流比正常值高很多,經(jīng)過若干開關(guān)周期后,IGB T損耗會比較高,結(jié)溫會迅速上升,從而導(dǎo)致IGBT失效。此時需檢測IGBT電流變化率,對IGBT進(jìn)行及時關(guān)斷,稱過流保護(hù)。
          根據(jù)IGBT特性,IGBT電流變化率可通過Vcesat檢測,但由于Vcesat在飽和區(qū)內(nèi)變化微弱,容易導(dǎo)致驅(qū)動器誤保護(hù),所以,現(xiàn)在IGBT驅(qū)動保護(hù)電路只進(jìn)行短路保護(hù),過流保護(hù)由霍爾電流傳感器完成。


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