高壓電纜感應(yīng)式取電電源分析及設(shè)計
設(shè)初級正弦電流峰值為Ip,且在圖3波形時刻,初級電流為Ipcos(ωt+φ),ω=100π,φ為交流電流初相位。則t=0時,i1(t)/N2全流經(jīng),Lm支路,故:
由式(7)可知,Pmax僅與μ,l,S和i1(t)有關(guān),與N2無關(guān);Pmax對應(yīng)的u與μ,Ip,N2,S,l有關(guān);Pmax對應(yīng)的R與μ,N2,S,l有關(guān),與i1(t)無關(guān)。
2.3 負(fù)載電流斷續(xù)
考慮臨界斷續(xù)情況,i2(t)=0,im(t)與i1(t)/N2滿足圖4a關(guān)系。t=0時im(t)與i1(t)/N2相切,則:
Uc值決定了電路的狀態(tài)。若輸出電壓高于Uc,i2(t)會出現(xiàn)斷續(xù)現(xiàn)象,反之i2(t)一直連續(xù)。電流斷續(xù)狀態(tài)下的im(t)與i1(t)/N2關(guān)系如圖4b所示。本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/175944.htm
通過數(shù)值計算的方法,可求解式(10),(11)。當(dāng)負(fù)載電流斷續(xù),i2(t)為零時,C向R放電,因而輸出電壓紋波增加且輸出功率減小。
由式(6),(9),(11)可畫出高壓電纜電流固定時負(fù)載輸出伏安特性曲線??芍?,在電流連續(xù)區(qū)輸出電流隨輸出電壓增加而平穩(wěn)減小,存在最大功率點(MPP);電流斷續(xù)區(qū)輸出電流隨電壓增加加速下降,輸出功率進一步減小。
2.4 取電線圈設(shè)計步驟
取電線圈的設(shè)計應(yīng)盡可能提高磁芯的利用率同時避免磁芯飽和。設(shè)計步驟包括磁芯材料的選取,以及S,l,N2的確定,具體如下:
①確定取電線圈的電源參數(shù),包括高壓電纜電流的變化范圍Ipmin~Ipmax、周期T、輸出電壓u以及輸出功率P;②較高的初始磁導(dǎo)率μ可使高壓電纜電流較小時獲得較大的功率,較大的飽和磁感應(yīng)強度Bsat可使磁芯適應(yīng)更高的u,使用壽命更長。通常磁芯可用硅鋼片疊壓而成,即可獲得較大的μ;③將所需的P、高壓電纜啟動電流Ipmin及T代入式(7)第2式可求得(S/l)min。實際設(shè)計時S/l應(yīng)大于(S/l)min,取S/l =1.5(S/l)min;④由式(7)第1式可知,當(dāng)P最大時,u與N2,Ip成正比。另外,u也是后續(xù)Buck電路的預(yù)設(shè)值??梢赃x取一個穩(wěn)壓值u,使高壓電纜電流為Ipmin時獲得足夠的功率。將T,u,S/l,Imin和μ代入式(7)第1式計算出對應(yīng)的N2;⑤當(dāng)u為最大值時,應(yīng)防止磁芯進入深飽和。將T,u,N2和Bsat代入式(2),求得S,最后由S/l數(shù)值即可得出l;⑥磁芯的內(nèi)外徑分別記為Di,Do??紤]線圈纏繞所需的空間,Di應(yīng)略大于高壓電纜的直徑D,例如取Di=1.1D。粗略計算令l=π(Di+Do)/2,代入l,Di即可求得Do;⑦根據(jù)Ipmax/N2,選擇合適的取電線圈繞組線徑,再結(jié)合Di,Do,l,估算N2匝線圈能否在磁芯上均勻繞制。若能,均勻繞制線圈,完成設(shè)計;若不能,即繞組線徑偏大,則可重新選取步驟③中S/l或步驟⑥中Di的數(shù)值,優(yōu)化取電線圈的設(shè)計參數(shù)。
3 穩(wěn)壓電路設(shè)計
穩(wěn)壓電路的設(shè)計應(yīng)保證電源輸出電壓的穩(wěn)定性。圖5示出電流感應(yīng)式取電電源框圖,其穩(wěn)壓電路由兩級組成。
3.1 Boost預(yù)穩(wěn)壓電路分析
電流-電壓型Boost預(yù)穩(wěn)壓電路與常規(guī)Boost電路的區(qū)別是:①輸入電源為直流電流源而非電壓源,這是由取電線圈經(jīng)整流后輸出具有電流源性質(zhì)所決定;②該Boost電路中沒有使用電感,這樣在忽略整流橋壓降的情況下,輸出電壓與取電線圈兩端電壓幅值相等;③控制回路采用滯環(huán)比較方式,提高了控制速度并可減小輸出電壓紋波。
3.2 DC/DC降壓電路和自啟動電路
第1級Boost預(yù)穩(wěn)壓電路輸出電壓為42 V,通過第2級Buck電路降至15 V,供負(fù)載使用。自啟動電路可將兩級輸出電壓42 V,15 V作為輸入,輸出控制回路芯片所需的供電電壓。
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