低電壓大電流VRM拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和均流技術(shù)研究
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本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/176354.htm均流的效果取決于 的差值。當(dāng) 和 相等時(shí),均流就有非常好的效果。而且MOSFET導(dǎo)通電阻的不同和電感值的不同對(duì)均流的效果沒(méi)有影響。
2.3 仿真結(jié)果及分析
圖7顯示了兩支路參數(shù)不同時(shí),在不同負(fù)載情況下的均流效果。
(a) 輕載時(shí)均流結(jié)果
圖7 (b) 重載時(shí)均流結(jié)果
在這兩個(gè)并行的支路中,一個(gè)支路中使用MOSFET的型號(hào)為2N6756,導(dǎo)通電阻為 ,輸出濾波電感為1.2uH,另一個(gè)模塊使用MOSFET的型號(hào)為2N6763,導(dǎo)通電阻為 ,輸出濾波電感為1uH,兩個(gè)模塊的MOSFET的導(dǎo)通電阻不一樣,濾波電感值也不一樣,當(dāng)負(fù)載從輕載到重載變化時(shí),均流效果是很好的,但是由于電感值不一樣,電感的等效電阻值有差異, MOSFET選擇的導(dǎo)通電阻較大,對(duì)電路的性能影響較大,所以在負(fù)載電流較大時(shí)兩個(gè)模塊的均流差一些。
前面討論了當(dāng)每一個(gè)模塊的線圈電阻相同時(shí)新型均流技術(shù)的應(yīng)用。為了總結(jié)這項(xiàng)技術(shù)的應(yīng)用,必須研究線圈電阻和分布電阻不同時(shí)的情況。
圖8顯示了當(dāng) 與 不同時(shí)這項(xiàng)技術(shù)的應(yīng)用,我們假設(shè) 和 的比率為確定的。
(5)
在圖8中的控制不同于圖6中的控制。有兩個(gè)額外的比例放大器加在均流控制環(huán)1中。這兩個(gè)放大器被用來(lái)調(diào)整在不同模塊中電流分布比率。在圖8中, 和 是
(6)
(7)
在兩個(gè)均流控制環(huán)中的兩個(gè)積分器使得 等于 。從式(2)、(3)和(7)可以得到下列關(guān)系:
(8)
所以,如果 和 滿(mǎn)足下列關(guān)系, 和 就相等:
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通過(guò)控制 和 的比率,可以確定電流分布比率。實(shí)際上,在均流控制環(huán)的設(shè)計(jì)中,不一定只使用一個(gè)積分補(bǔ)償器,其它的補(bǔ)償器,像兩極和一個(gè)零極的補(bǔ)償器可以調(diào)整均流控制環(huán)的帶寬以改善電流的響應(yīng)速度。
圖8 均流控制的拓展應(yīng)用
2.4.2 電流分享控制技術(shù)的拓展應(yīng)用
提出的電流分享技術(shù)可以用于其它的
基爾霍夫電流相關(guān)文章:基爾霍夫電流定律
評(píng)論