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          從射頻信號完整性到電源完整性』每個VRM都是一種特殊的功率放大器(PA)

          • Qorvo首席系統(tǒng)工程師/高級管理培訓師 Masashi Nogawa 將通過《 從射頻信號完整性到電源完整性 》這一系列文章,與您探討射頻(RF)電源的相關話題,以及電源軌可能對噪聲敏感的RF和信號鏈應用構成的挑戰(zhàn)。本文將討論 VRM作為特殊功率放大器的工作原理及其與RF/信號鏈領域中的共通點 。在射頻(RF)和信號鏈領域的 許多工程師將電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)系統(tǒng)視為“電源” ;而與他們的信號鏈電子元件截然不同。那么,就讓我
          • 關鍵字: Qorvo  射頻信號  VRM  

          適用于復雜負載點應用的數(shù)字增強型電源模擬直流/直流控制器

          •   在許多系統(tǒng)中,使用單片機來控制多個負載點(POL)直流/直流轉換器,從而構成混合控制系統(tǒng)以管理系統(tǒng)啟動行為、監(jiān)視電氣參數(shù)并管理外設子系統(tǒng)的功耗。不過,最復雜的解決方案可在計算機主板、圖形卡或服務器的CPU刀片上找到,其中穩(wěn)壓器模塊(VRM)直接與其負載通信來調(diào)整電源電壓,并且/或者甚至調(diào)整其控制特性來適應臨時的工作條件。這種“智能”電源轉換管理和控制在總體系統(tǒng)效率、性能和可靠性方面具有顯著優(yōu)勢——簡而言之:是工業(yè)、醫(yī)療、汽車以及消費類細分市場的首選解決方案
          • 關鍵字: 控制器  MCP19111  POL  VRM  

          LED基礎:12個LED重要性能指標

          • 要想深入了解LED,不僅需要了解LED的一些基本知識,還要了解LED的性能指標,因為LED性能指標是整個LED的核心部分。筆者將LED性能指標分為12個關鍵詞,下面讓筆者給網(wǎng)友進行詳細的分析。
          • 關鍵字: LED  性能指標  VRm  

          改善VRM輸出瞬態(tài)響應的辦法

          • 除了由于輸出濾波電容的ESR、ESL,使頻繁高速變化的電流引起VRM輸出電壓的變化外,電路中其他的寄生參數(shù),如...
          • 關鍵字: VRM  輸出瞬態(tài)響應  

          低電壓大電流VRM拓撲結構和均流技術研究

          • 0 引言為了進一步加強微處理器的功率、速度性能,未來微處理器對其特殊的供電單元電壓調(diào)節(jié)模塊(Voltage Regulator Module ,VRM)提出了前所未有的挑戰(zhàn)。供電電源電壓越來越低而電流越來越大,瞬態(tài)響應速度越來越快,功
          • 關鍵字: 電壓  電流  模塊  調(diào)整  同步  整流  方波  分享  研究  VRM  拓撲  

          三種快速動態(tài)響應的VRM拓撲分析比較

          • 摘要:本文給出了三種具有快速動態(tài)響應速度VRM拓撲:多相交錯Buck拓撲、采用步進電感的變換器拓撲、混合供電模式拓撲。分析了它們各自的設計目標,工作原理,以及各自的優(yōu)缺點。 敘詞:電壓調(diào)節(jié)模塊;多相交錯;步進
          • 關鍵字: 分析  比較  拓撲  VRM  動態(tài)  響應  快速  

          使用功率MOSFET封裝技術解決計算應用的高功耗問題

          •   對于主板設計師來說,要設計處理器電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)來滿足計算機處理器永無止境的功率需求實在是個大挑戰(zhàn)。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標從8.4版本升級到9.0版本,涵蓋了新的功率要求,以繼續(xù)追隨摩爾(Moore)定律。   在過去的10年間,VRM電流要求一直在增加,正如英特爾所公布的,IccMAX從VRM9.0中的60A發(fā)展成驅動高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時,電流切換速率要求也有相當大的提高;芯片插座處的dI/dT從45
          • 關鍵字: MOSFET  VRM  英特爾  低功耗  芯片  PWB  

          開關電源技術發(fā)展的十個關注點

          •   上世紀60年代,開關電源的問世,使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來,開關電源技術有了飛迅發(fā)展和變化,經(jīng)歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統(tǒng)的集成技術三個發(fā)展階段。   功率半導體器件從雙極型器件(BPT、SCR、GTO)發(fā)展為MOS型器件(功率MOSFET、IGBT、IGCT等),使電力電子系統(tǒng)有可能實現(xiàn)高頻化,并大幅度降低導通損耗,電路也更為簡單。   自上世紀80年代開始,高頻化和軟開關技術的開發(fā)研究,使功率變換器性能更好、重量更輕、尺寸更小。高頻化和軟開關
          • 關鍵字: 模擬技術  電源技術  系統(tǒng)集成  電磁  VRM  電源  

          高效率的VRM滿足AMDK8處理器供電要求

          • •    85%的效率使系統(tǒng)設計更加容易 •    滿足工作站或服務器應用的1U/2U或水平式封裝 •    符合AMD供電規(guī)范,滿足最新的64位AMD Opteron™ 和 Athlon™處理器系列供電要求 C&D Technologies推出一款新的電壓調(diào)整模塊(VRM)系列,
          • 關鍵字: AMD  K8  VRM  處理器  供電  
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          vrm介紹

          VRM的英文全稱是Voltage Regulator Module,中文意思是電壓調(diào)節(jié)模塊,其主要作為了通過對主板上直流—>直流(簡稱DC—>DC)轉換電路的控制來為CPU提供穩(wěn)定的工作電壓,同時也對電腦啟動時電壓的變化情況和時序作出了明確的要求。根據(jù)VRM標準制定的電源電路能夠滿足不同CPU的要求,減少人工干預的復雜性,簡化了穩(wěn)壓電路的電壓控制設計。這個VRM標準是Intel專門為自 [ 查看詳細 ]

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