Cortex-M4核Kinetis平臺(tái)的電容式觸摸鍵盤設(shè)計(jì)
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3．2 TSI模塊自校準(zhǔn)
TSI模塊初始化之后，要實(shí)現(xiàn)電容式感應(yīng)觸摸的檢測(cè)，還需要對(duì)TSI模塊進(jìn)行電容值的校準(zhǔn)，采樣正常無手指觸摸情況下的電容量即內(nèi)部計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值，將其與自定義的死區(qū)值進(jìn)行相加和相減之后分別存入閾值寄存器的高部分和低部分，以此作為標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)電極電容變化區(qū)間，當(dāng)電容量的變化處于死區(qū)區(qū)間內(nèi)時(shí)，不會(huì)觸發(fā)越界中斷，當(dāng)電容量超出閾值寄存器的范圍時(shí)(包括低于閾值寄存器的低部分或者高于閾值寄存器的高部分)自動(dòng)觸發(fā)越界中斷，具體校準(zhǔn)流程如圖7所示。本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/176416.htm
3．3 TSI模塊中斷服務(wù)處理
由圖5所示TSI模塊的編程框圖可知，TSI模塊有多種中斷方式，包括錯(cuò)誤中斷、超時(shí)中斷、掃描結(jié)束中斷和越界中斷，在K60 MCU內(nèi)部中斷機(jī)制里，它們共享99號(hào)中斷向量。本系統(tǒng)設(shè)計(jì)采用越界中斷，即正常情況下不占用CPU資源，只有當(dāng)手指觸摸造成電容量超出死區(qū)區(qū)間時(shí)才觸發(fā)越界中斷，進(jìn)入相應(yīng)的中斷服務(wù)函數(shù)進(jìn)行電容式觸摸按鍵響應(yīng)處理。根據(jù)表1所示通道組合識(shí)別出具體觸摸按鍵號(hào)，實(shí)現(xiàn)觸摸鍵盤的輸入，具體中斷服務(wù)流程如圖8所示。
另外，針對(duì)一些更加復(fù)雜的電容式觸摸動(dòng)作，如旋轉(zhuǎn)、滑動(dòng)等應(yīng)用，飛思卡爾公司免費(fèi)提供了強(qiáng)大的觸摸感應(yīng)軟件庫(即TSS庫)和開發(fā)生態(tài)系統(tǒng)的支持，可以直接應(yīng)用在飛思卡爾Kinetis平臺(tái)上，不僅縮短了工程開發(fā)周期而且也增加了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
- 結(jié)語
- 本系統(tǒng)采用帶有電容式觸摸接口TSI模塊的Cortex-M4核的Kinetis平臺(tái)MCU，利用電容式觸摸感應(yīng)原理設(shè)計(jì)了3×3電容觸摸鍵盤。相比于傳統(tǒng)的機(jī)械式按鍵，電容式觸摸按鍵具有壽命長(zhǎng)、占用空間小、高靈敏度和靈活性好等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用前景十分廣闊，尤其是在飛速發(fā)展的消費(fèi)電子領(lǐng)域，大有取代機(jī)械式按鍵的勢(shì)頭。
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