t1時刻，MOS關(guān)斷。 變壓器初級電流被強(qiáng)制關(guān)斷。我們知道電感電流是不能突變的，而現(xiàn)在MOS要強(qiáng)制關(guān)斷初級電流，那么初級電感就會在MOS關(guān)斷過程中，在初級側(cè)產(chǎn)生一個感應(yīng)電動勢。根據(jù)電磁感應(yīng)定律，我們知道，這個感應(yīng)電動勢在原理圖中是下正上負(fù)的。這個感應(yīng)電動勢通過變壓器的繞組耦合到次級，由于次級的同名端和初級是反的。所以次級的感應(yīng)電動勢是上正下負(fù)。當(dāng)次級的感應(yīng)電動勢達(dá)到輸出電壓時，次級整流二極管導(dǎo)通。初級電感在MOS開通時儲存的能量，通過磁芯耦合到次級電感，然后通過次級線圈釋放到次級輸出電容中。在向輸出電容中轉(zhuǎn)移能量的過程中，由于次級輸出電容容量很大，電壓基本不變，所以次級電壓被箝位在輸出電壓Vout，那么因?yàn)榇判纠@組電壓是按匝數(shù)的比例關(guān)系，所以此時初級側(cè)的電壓也被箝位在Vout/(NS/NP)，這里為了簡化分析，我們忽略了二極管的正向?qū)▔航怠?p>現(xiàn)在我們引入一個非常重要的概念，反射電壓Vf。反射電壓Vf就是次級繞組在向次級整流后的輸出電容轉(zhuǎn)移能量時，把次級輸出電壓按照初次級繞組的匝數(shù)比關(guān)系反射到初級側(cè)繞組的電壓，數(shù)值為:Vf=(Vout+Vd)/(NS/NP)，式中，Vd是二極管的正向?qū)▔航?。在本例中，Vout約為20V，Vd約為1V，NP/NS=2，那么反射電壓約為42V。從波形圖上可以證實(shí)這一點(diǎn)。那么我們從原理圖上可以知道，此時MOS的承受的電壓為Vin+Vf。

也有朋友注意到了，在MOS關(guān)斷的時候，Vds的波形顯示，MOS上的電壓遠(yuǎn)超過Vin+Vf!這是怎么回事呢?這是因?yàn)椋覀兊倪@個例子中，變壓器的初級有漏感。漏感的能量是不會通過磁芯耦合到次級的。那么MOS關(guān)斷過程中，漏感電流也是不能突變的。漏感的電流變化也會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢，這個感應(yīng)電動勢因?yàn)闊o法被次級耦合而箝位，電壓會沖的很高。那么為了避免MOS被電壓擊穿而損壞，所以我們在初級側(cè)加了一個RCD吸收緩沖電路，把漏感能量先儲存在電容里，然后通過R消耗掉。當(dāng)然，這個R不僅消耗漏感能量。因?yàn)樵贛OS關(guān)斷時，所有繞組都共享磁芯中儲存的能量。其實(shí)，留意看看，初級配上RCD吸收電路，和次級整流濾波后帶一個電阻負(fù)載，電路結(jié)構(gòu)完全是相同的。故而初級側(cè)這時候也像一個輸出繞組似的，只不過輸出的電壓是Vf，那么Vf也會在RCD吸收回路的R上產(chǎn)生功率。因此，初級側(cè)的RCD吸收回路的R不要取值太小，以避免Vf在其上消耗過多的能量而降低效率。t3時刻，MOS再次開通，開始下一個周期。那么現(xiàn)在有一個問題。在一個工組周期中，我們看到，初級電感電流隨著MOS的關(guān)斷是被強(qiáng)制關(guān)斷的。在MOS關(guān)斷期間，初級電感電流為0，電流是不連續(xù)的。那么，是不是我們的這個電路是工作在DCM狀態(tài)的呢?

在flyback電路中，CCM和DCM的判斷，不是按照初級電流是否連續(xù)來判斷的。而是根據(jù)初、次級的電流合成來判斷的。只要初、次級電流不同是為零，就是CCM模式。而如果存在初、次級電流同時為零的狀態(tài)，就是DCM模式。介于二者之間的就是CRM過渡模式。

所以根據(jù)這個我們從波形圖中可以看到，當(dāng)MOS開通時，次級電流還沒有降到零。而MOS開通時，初級電流并不是從零開始上升，故而，這個例子中的電路是工作在CCM模式的。我們說過，CCM模式是能量不完全轉(zhuǎn)移的。也就是說，儲存在磁芯中的能量是沒有完全釋放的。但進(jìn)入穩(wěn)態(tài)后，每周期MOS開通時新增儲存能量是完全釋放到次級的。否則磁芯會飽和的。

在上面的電路中，如果我們增大輸出負(fù)載的阻值，降低輸出電流，可以是電路工作模式進(jìn)入到DCM狀態(tài)。為了使輸出電壓保持不變，MOS的驅(qū)動占空比要降低一點(diǎn)。其他參數(shù)保持不變。